一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法技术

本发明专利技术涉及锗材料制备技术领域，公开了一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，包含下列步骤：将四氯化锗蒸汽与氢气从旋转CVD反应器的进气口通入到容器内部反应，吸附、分解和团聚的作用在容器底部的基体锗上沉积锗。本发明专利技术通过旋转的基体锗，加强了界面扰动，增加了化学反应速率和传质系数，使得单炉锗的产量增加，提高了经济效益；降低了高纯四氯化锗与高纯氢气的进气比例，减小尾气分离难度，节约成本。同时通过调节旋转的转速，增强基体表面的界面更新速率，提高反应的选择性，并减少杂质颗粒的生成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及锗材料制备，具体而言，涉及一种基于旋转cvd反应器还原生产高纯锗的方法。

技术介绍

1、锗因其红外透射率高、电磁折射率高、光电转化率高等特性，广泛用于探测器、光学、微电子、太阳能电池等领域，是二十一世纪重要的战略金属资源。

2、目前锗的生产工艺主要有：①化学气相沉积法：以氢气稀释的锗烷或二锗烷为前驱体在衬底上沉积锗；②歧化法：通过二碘化锗(gei2)歧化制备锗；③“氯化-水解-还原”法：四氯化锗(gecl4)水解生成二氧化锗(geo2)，利用氢气(h2)还原geo2后经区熔提纯得到高纯锗。但上述方法具有效率低、易引入杂质造成二次污染、流程长、设备投资高等缺点。

3、针对四氯化锗氢还原制备锗，目前国内外已有大量学者做了相关探索研究，这些研究主要集中在两个方面：(1)液态四氯化锗催化氢还原制备纳米锗材料，通过添加催化剂降低反应温度并提高锗转化率。如kadomtseva等人在四氯化锗氢化过程中加入铜纳米颗粒改性多壁碳纳米管进行催化，提出了四氯化锗和氢催化还原的反应机理。vorotyntsev等人应用密度泛函方法研究了ni、p本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，包含下列步骤：

2.如权利要求1所述的基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，四氯化锗蒸汽的进气速率为0.15-0.25m3/h。

3.如权利要求1或2所述的基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，所述氢气的进气速率为3-5m3/h。

4.如权利要求3所述的基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，所述四氯化锗蒸汽与氢气的流量比为1：(15-25)。

5.如权利要求4所述的基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，所述反应的温度...

【技术特征摘要】

1.一种基于旋转cvd反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，包含下列步骤：

2.如权利要求1所述的基于旋转cvd反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，四氯化锗蒸汽的进气速率为0.15-0.25m3/h。

3.如权利要求1或2所述的基于旋转cvd反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，所述氢气的进气速率为3-5m3/h。

4.如权利要求3所述的基于旋转cvd反应器还原生产高纯锗的方法，其特征在于，所述四氯化锗蒸汽与氢气的流量比为1：(15-25)。

【专利技术属性】
技术研发人员：侯彦青，陈凤阳，崔丁方，丁志颖，王同波，苟清懿，子光平，陈俊肖，寇斌，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人