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本发明涉及锗材料制备技术领域，公开了一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，包含下列步骤：将四氯化锗蒸汽与氢气从旋转CVD反应器的进气口通入到容器内部反应，吸附、分解和团聚的作用在容器底部的基体锗上沉积锗。本发明通过旋转的基体锗，加强...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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