【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片设计，尤其涉及的是一种芯片单元性能随工艺角分布预测方法、系统、终端及介质。
技术介绍
1、目前，在集成电路（又称芯片）设计过程中，通常采用spice仿真进行集成电路验证，但是由于标准单元库中的单元个数通常成百上千，数量庞大，即使只对代表性的几十个单元做仿真，整个仿真时间也需要几十到上百个小时。同时，由于事先并不知道各个元器件对应的性能指标的测量范围，导致部分测量结果无效，从而需要重仿，因此进一步加大了仿真工作量。
2、可见，现有技术中采用spice仿真对芯片设计进行验证的效率非常低，无法高效预测芯片的关键性能指标，而导致芯片设计周期较长的缺陷。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种芯片单元性能随工艺角分布预测方法、系统、终端及介质，旨在解决现有技术中存在的对芯片的关键性能指标的预测效率低，而导致芯片设计周期较长的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种芯片单元性能随工艺角分布预测方法，包括：
...【技术保护点】
1.芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述目标性能为所述芯片单元的延迟，所述构建芯片单元的沟道长度与所述芯片单元的目标性能之间的关系，获得目标函数，包括：
3.根据权利要求2所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述基于所述有效沟道长度和所述延迟之间的线性关系，建立所述有效沟道长度和所述延迟之间的线性映射关系，获得目标函数，包括：
4.根据权利要求1所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述目标性能为所述芯片...
【技术特征摘要】
1.芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述目标性能为所述芯片单元的延迟，所述构建芯片单元的沟道长度与所述芯片单元的目标性能之间的关系，获得目标函数，包括：
3.根据权利要求2所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述基于所述有效沟道长度和所述延迟之间的线性关系，建立所述有效沟道长度和所述延迟之间的线性映射关系，获得目标函数，包括：
4.根据权利要求1所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述目标性能为所述芯片单元的漏电流，所述构建芯片单元的沟道长度与所述芯片单元的目标性能之间的关系，获得目标函数，包括：
5.根据权利要求1所述的芯片单元性能随工艺角分布预测方法，其特征在于，所述将所述沟道长度映射到芯片单元的工艺角上，获得沟道长度对应的工艺角，包括：
6.根据权利要求1所述的芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宏俊，林松，鄂松昙，吴伟，
申请(专利权)人：珠海凌烟阁芯片科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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