【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体掺杂相关，更具体地，涉及一种半导体高斯掺杂轮廓重构方法、系统及电子设备。
技术介绍
1、半导体掺杂的轮廓量测技术是测量获取半导体的掺杂浓度在深度方向上的分布轮廓。根据半导体协会预测：随着器件的栅长减小，沟道掺杂的深度越来越浅，超浅结小于100nm，此时掺杂浓度和轮廓的精确控制对保证结深的低串联电阻和器件的低漏电电流有着至关重要的作用。
2、最理想的超浅结分布轮廓为：从表面到结深是近似恒定的掺杂浓度且结深处的掺杂浓度是突变的。如果掺杂离子全部激活，该掺杂浓度值近似等于载流子浓度；结深处掺杂浓度是突变的，类似单箱体轮廓，如图1所示，纵坐标为载流子浓度的对数。但离子注入工艺决定了掺杂分布轮廓并不是理想的单箱体轮廓分布而是高斯分布。而当高斯分布的结深处掺杂浓度突变程度非常大时，即高斯分布的曲线都集中在均值附近，此时该高斯分布的掺杂轮廓曲线也能满足器件的低串联电阻和低漏电电流需求。因此，半导体高斯掺杂轮廓的测量重构对于半导体掺杂性能的测量控制是非常重要的。
3、目前常用的几种测量掺杂浓度方式有：二次离子...
【技术保护点】
1.一种半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，所述预设比例值具体通过以下方式获取：
3.如权利要求2所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，所述高斯掺杂轮廓模型具体为：
4.如权利要求3所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，所述预设比例值具体通过以下方式确定：
5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，S4中计算获取每次激发光功率下单箱体轮廓的结深，具体通过以下方式获取：
6.如权利要求5所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，所述预设比例值具体通过以下方式获取：
3.如权利要求2所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，所述高斯掺杂轮廓模型具体为：
4.如权利要求3所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，所述预设比例值具体通过以下方式确定：
5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体高斯掺杂轮廓重构方法，其特征在于，s4中计算获取每次激发光功率下单箱体轮廓的结深，具体通过以下方式获取：
6.如权利要求5所述的半导体高斯掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙勇，汤自荣，王中昱，闵菁，陈修国，刘世元，董诗浩，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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