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本发明属于半导体掺杂相关技术领域，其公开了一种半导体高斯掺杂轮廓重构方法、系统及电子设备，方法包括：建立光调制反射技术量测模型；将激发光功率从最大功率开始按照间隔步长依次递减调节；每次激发光功率下，获取半导体样品的基底过剩载流子浓度，根据掺...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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