本发明专利技术公开了一种激光反射镜及其制备方法与应用，涉及光学薄膜技术领域。该激光反射镜，包括：基片和设置于所述基片的表面的反射膜；所述反射膜的结构为：Sub/(HL)^m H/Air；其中，Air表示空气；Sub表示基片；H表示光学厚度为1/4设计波长厚度的高折射率膜层；L表示光学厚度为1/4设计波长厚度的SiO2膜层；m表示括号内的膜层结构的重复次数。该激光反射镜不容易发热，使用过程温度保持在15℃以内；抗激光损伤能力强，使用寿命长；使用波长范围内的反射率达99.8％以上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学薄膜，尤其是涉及一种激光反射镜及其制备方法与应用。
技术介绍
1、激光反射镜是一种光学元件，用于反射激光束，使激光光线改变方向。它是激光器系统中重要的组成部分，常用于激光光路中的光束控制、光路折射、光束对准和干涉实验等应用。但现有的激光反射镜非常容易发热，使用过程中温度常超过25℃，影响激光器系统的稳定性和精度；抗激光损伤能力低，经3j/cm2左右激光能量辐照即易使得激光反射镜膜层烧伤，缩短激光反射镜使用寿命；且反射率低于99.5％。
2、因此，需要提供一种不易发热、抗激光损伤能力强、具有高反射率的激光反射镜。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种激光反射镜，该激光反射镜不容易发热；抗激光损伤能力强；使用波长范围内的反射率达99.9％以上。
2、本专利技术还提供上述激光反射镜的制备方法。
3、本专利技术还提供上述激光反射镜的应用。
4、根据本专利技术的第一方面实施例的激光反射镜，包括：基片和设置于所述基片的表面的反射膜；
5、所述反射膜的结构为：sub/(hl)^m h/air；
6、其中，air表示空气；sub表示基片；h表示光学厚度为1/4设计波长厚度的高折射率膜层；l表示光学厚度为1/4设计波长厚度的sio2膜层；m表示括号内的膜层结构的重复次数。
7、根据本专利技术实施例的激光反射镜，至少具有如下有益效果：
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p>8、现有市售的激光反射镜的使用温度多维持在60℃左右，发热严重；而实施例的激光反射镜不容易发热，使用过程温度保持在15℃以内，激光器件运行稳定。此外，实施例的激光反射镜抗激光损伤能力强，激光损伤阈值达34.42j/cm2，使用寿命长达5年以上；反射率达99.9％以上，具有超高的出光效率和激光转化效率；在半导体激光器、激光反射器等方面具有很好的应用前景。9、相比于氟化铝、二氟化镁、氧化铝等其他低折射率膜层，sio2镀制多层膜层，应力较小，且膜层性能稳定，表面光洁度更好。
10、根据本专利技术的一些实施例，所述高折射率膜层包括金属锆膜层、金属铪膜层中的至少一种。相比于二氧化锆膜层、氮化硅膜层、氧化铌膜层等其他高折射率膜层，通过以原子形式沉积，膜层更加致密，抗激光损伤的能力更强。
11、根据本专利技术的一些实施例，m为20～26。例如：可以为20、21、22、23、24、25或26。如果m过小，反射率不够，m过大，累计的弱吸收更多，均会使得抗激光损伤阈值降低，抗激光损伤的能力变差。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述基片包括光学级石英玻璃。
13、根据本专利技术的一些实施例，所述基片的厚度为1mm～5mm。例如：可以为1mm、2mm、3mm、4mm或5mm。
14、根据本专利技术的一些实施例，所述反射膜的厚度为6μm～6.6μm。例如：可以为6.1μm、6.2μm、6.3μm、6.4μm、6.5μm或6.6μm。
15、根据本专利技术的一些实施例，所述激光反射镜的设计波长为1000nm～1060nm。例如：可以为1000nm、1010nm、1020nm、1030nm、1040nm、1050nm或1060nm。
16、根据本专利技术的一些实施例，所述激光反射镜的使用波长为899nm～980nm。
17、根据本专利技术的一些实施例，所述激光反射镜在使用波长范围内的反射率大于99.9％。
18、根据本专利技术的第二方面实施例的上述激光反射镜的制备方法，包括以下步骤：
19、使用电子束蒸发与离子源辅助沉积法或离子束溅射法，在所述基片的一侧表面交替镀高折射率膜层和sio2膜层，以形成所述反射膜。
20、根据本专利技术的一些实施例，采用电子束蒸发与离子源辅助沉积法制备时，真空条件为6.0×10-4pa～6.5×10-4pa；温度为280℃～300℃；氧气流量为90sccm～100sccm。在高真空条件下制备，杂质、残余气体少。
21、根据本专利技术的一些实施例，采用电子束蒸发与离子源辅助沉积法制备时，真空条件为6.5×10-4pa；温度为280℃；氧气流量为90sccm。采用高能量的rf离子源辅助，膜层填充密度大，膜层牢固、温漂效应小。
22、根据本专利技术的一些实施例，采用电子束蒸发与离子源辅助沉积法制备时，高折射率膜层靶材的蒸发速率为0.1nm/秒～0.15nm/秒；和/或
23、sio2的蒸发速率为0.5nm/秒～0.6nm/秒。
24、根据本专利技术的一些实施例，采用电子束蒸发与离子源辅助沉积法制备时，高折射率膜层靶材的蒸发速率为0.15nm/秒；和/或
25、sio2的蒸发速率为0.6nm/秒。
26、根据本专利技术的第三方面实施例的激光反射镜在半导体激光器或激光反射器中的应用。由于采用了上述实施例的激光反射镜的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果。
27、根据本专利技术的第四方面实施例的一种半导体激光器或激光反射器，包括上述激光反射镜。由于采用了上述实施例的激光反射镜的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果。
28、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
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【技术保护点】
1.一种激光反射镜，其特征在于，包括：基片和设置于所述基片的表面的反射膜；
2.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，m为20～26。
3.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述高折射率膜层包括金属锆膜层、金属铪膜层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述基片的厚度为1mm～5mm。
5.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述反射膜的厚度为6μm～6.6μm。
6.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述激光反射镜的使用波长为899nm～980nm；优选地，所述激光反射镜在使用波长范围内的反射率大于99.9％。
7.权利要求1至6任一项所述的激光反射镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸发与离子源辅助沉积法制备时，高折射率膜层靶材的蒸发速率为0.1nm/秒～0.15nm/秒；和/或
9.权利要求1至6任一项所述的激光反射镜在半导体激光器或激光反射器中的应用。>
10.一种半导体激光器或激光反射器，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的激光反射镜。
...
【技术特征摘要】
1.一种激光反射镜，其特征在于，包括：基片和设置于所述基片的表面的反射膜；
2.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，m为20～26。
3.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述高折射率膜层包括金属锆膜层、金属铪膜层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述基片的厚度为1mm～5mm。
5.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述反射膜的厚度为6μm～6.6μm。
6.根据权利要求1所述的激光反射镜，其特征在于，所述激光反射镜的使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：闪雷雷，朱小康，
申请(专利权)人：大鼎光学薄膜中山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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