【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别是涉及一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法。
技术介绍
1、布拉格光栅(dbr)是功能光学器件的基本组成部分,在各种光子平台(光纤、硅和其他半导体)具有通信、激光和传感等多种应用。布拉格光栅和铌酸锂(linbo3,ln)等材料的非线性光学和电光特性组合在一起时尤其具备独特的性能。诸如频率转换,光切换,调制器和量子光学器件可以极大地受益于在铌酸锂薄膜波导中嵌入布拉格光栅反射器和滤波器功能,因为这可以实现超紧凑的电调制光开关和调制器以及紧凑的非线性光学器件(例如光学参量振荡器)。
2、但是铌酸锂单晶材料无合适的晶格匹配dbr材料而且难以采用外延生长技术,因而无法像砷化镓或磷化铟材料可通过底部光栅刻蚀和二次外延技术实现例如光通市场广泛应用的砷化镓或磷化铟dfb激光器。目前,光栅和铌酸锂薄膜波导的集成制作技术主要有以下几种方法:
3、1)钛扩散折射、质子交换折射、飞秒激光注入或表面沉积异质材质光栅, (见ieeephotonics and technology letters, vol. 14,2
...【技术保护点】
1.一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,所述第一铌酸锂薄膜厚度为300-900nm,所述光栅层刻蚀深度为20-500nm。
3.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,所述第一介质膜厚度不小于所述光栅层厚度的三倍。
4.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,
5.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,在对所述第二晶圆的第二铌酸锂薄膜进行离子注入步骤中,
...【技术特征摘要】
1.一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,所述第一铌酸锂薄膜厚度为300-900nm,所述光栅层刻蚀深度为20-500nm。
3.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,所述第一介质膜厚度不小于所述光栅层厚度的三倍。
4.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,
5.根据权利要求1所述的集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,其特征在于,在对所述第二晶圆的第二铌酸锂薄膜进行离子注入步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:张岚,潘振辉,许明,
申请(专利权)人:平湖科谱激光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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