【技术实现步骤摘要】
本申请涉及离子源，特别是涉及一种离子源、离子注入装置和离子注入方法。
技术介绍
1、离子源(ion source)是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。离子源通常用于离子注入等领域，硒离子注入作为离子注入的一种被广泛应用在半导体器件的制造中，如将硒注入到nmos器件的硅化物上，以降低nmos器件的接触电阻并改善其性能。
2、然而，传统的离子源在进行硒离子注入时的启动时间较长。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对传统的离子源在进行硒离子注入时的启动时间较长的问题，提供一种离子源、离子注入装置和离子注入方法。
2、根据本申请的第一方面，提供了一种离子源，包括：
3、壳体，具有电离室；
4、电子枪和电子接收极，设于所述电离室内，沿第一方向相对且间隔设置；
5、含硒固体源和激光器，所述含硒固体源设于所述电离室内，且具有第一侧壁，所述激光器朝向所述含硒固体源的所述第一侧壁设置，以将所述含硒固体源加热成含硒气体；以及
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种离子源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述离子源还包括设于所述电离室内的电连接部件；
3.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述电连接部件与所述含硒固体源为一体式结构。
4.根据权利要求3所述的离子源，其特征在于，所述离子源还包括焊接材料，所述电连接部件通过所述焊接材料焊接于所述含硒固体源。
5.根据权利要求4所述的离子源，其特征在于，所述含硒固体源还具有沿所述第二方向与所述第一侧壁相背设置的第二侧壁，所述电连接部件通过所述焊接材料焊接于所述含硒...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈子强，廖逸民，
申请(专利权)人：广州拓诺稀科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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