一种晶圆磨抛设备及磨抛加工方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆磨抛设备及磨抛加工方法。该晶圆磨抛设备包括：供料装置，用于提供晶圆；磨削装置，与供料装置沿第一水平方向布设，磨削装置用于对晶圆进行磨削加工；抛光装置，布置在供料装置与磨削装置之间，抛光装置用于对完成磨削加工的晶圆进行化学机械抛光；转移装置，包括传送机构和第一搬运机构，传送机构布置在供料装置与磨削装置之间，且位于抛光装置在与第一水平方向垂直的第二水平方向上的一侧；传送机构可受控地在供料装置与磨削装置之间移动，以将供料装置提供的晶圆转移至磨削装置上；第一搬运机构布置在传送机构的上方或下方，用于将完成磨削加工的晶圆转移至抛光装置上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造设备，特别是涉及一种晶圆磨抛设备及磨抛加工方法。

技术介绍

1、集成电路的制造过程通常分为：硅片制造、前道工艺和后道工艺。后道工艺的主要目的是将生长有电路器件的整张晶圆制作成一个个独立的成品芯片。后道工艺的制程大致可以分为：背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等8个主要步骤。晶圆的背面减薄(grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。

2、晶圆磨抛设备中需要集成磨削、化学机械抛光(cmp)、晶圆清洗、晶圆转移等众多功能部件，导致设备体积较大，所需占用的空间较大。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中晶圆磨抛设备体积较大，所需占用的空间较大的问题，提供一种改善上述缺陷的晶圆磨抛设备及磨抛加工方法。

2、一种晶圆磨抛设备，包括：

3、供料装置，用于提供晶圆；

4、磨削装置，与所述供料装置沿第一水平方向布设，所述磨削装置用于对晶圆进行磨本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆磨抛设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆磨抛设备，其特征在于，所述转移装置还包括第一缓存平台(44)及第二搬运机构(43)，所述第二搬运机构(43)布置在所述磨削装置(20)朝向所述供料装置(10)的一侧，用于将所述传送机构(41)上的晶圆转移至所述磨削装置(20)上，所述第二搬运机构(43)还用于将所述磨削装置(20)上的晶圆转移至所述第一缓存平台(44)上，所述第一搬运机构(42)用于将所述第一缓存平台(44)上的晶圆转移至所述抛光装置(30)上。

3.根据权利要求2所述的晶圆磨抛设备，其特征在于，所述晶圆磨抛设备还包括清洗装置(...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆磨抛设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆磨抛设备，其特征在于，所述转移装置还包括第一缓存平台(44)及第二搬运机构(43)，所述第二搬运机构(43)布置在所述磨削装置(20)朝向所述供料装置(10)的一侧，用于将所述传送机构(41)上的晶圆转移至所述磨削装置(20)上，所述第二搬运机构(43)还用于将所述磨削装置(20)上的晶圆转移至所述第一缓存平台(44)上，所述第一搬运机构(42)用于将所述第一缓存平台(44)上的晶圆转移至所述抛光装置(30)上。

3.根据权利要求2所述的晶圆磨抛设备，其特征在于，所述晶圆磨抛设备还包括清洗装置(50)，所述第二搬运机构(43)用于将所述传送机构(41)上的晶圆转移至所述清洗装置(50)上，所述清洗装置(50)用于对晶圆的待进行磨削加工的表面进行清洗，所述第二搬运机构(43)还用于将所述清洗装置(50)上的晶圆转移至所述磨削装置(20)。

4.根据权利要求3所述的晶圆磨抛设备，其特征在于，所述清洗装置(50)、所述磨削装置(20)和所述第一缓存平台(44)围绕所述第二搬运机构(43)布设。

5.根据权利要求2所述的晶圆磨抛设备，其特征在于，所述转移装置还包括第二缓存平台(45)，所述第一缓存平台(44)和所述第二缓存平台(45)沿所述第一水平方向(x1)间隔布设；在所述第一缓存平台(44)和所述第二缓存平台(45)中，所述第一缓存平台(44)更靠近所述磨削装置(20)布置，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏飞，周智鹏，
申请(专利权)人：吉姆西半导体科技无锡股份有限公司，
类型：发明
国别省市：