【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造，具体为面对fab的eda软件集成平台。
技术介绍
1、在芯片制造工艺中，由光刻机物理限制导致晶圆图样与光罩图样失真的现象被称为光学邻近效应(ope)，会对产品良率造成负面影响，为解决这一问题，需要对光罩上的设计图进行光学邻近效应修正(optical proximity correction，opc)，而opc是eda(电子设计自动化)工业软件的一种,没有这种软件,即使有光刻机,也造不出芯片；opc建模是对整个“光刻机-掩膜版-光刻胶”所构成的物理、化学系统的计算仿真过程，通过输入掩膜版图形来预测晶圆表面的图形。
2、现有的先进芯片制造过程中，工作人员需要从多种机台人工下载数据，实现对数据的统计和计算，而且人工计算及上传结果易出错，导致实现全流程约需要30分钟，从而产品的良率实现效率不高的同时效率过慢，因此，有必要提出一种面对fab的eda软件集成平台来解决上述提出的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了面对fab的eda软件集成平台，具备能够自动一键处理数据，提升效率，减小出错几率等优点，解决了现有的人工计算及上传结果易出错，导致实现全流程约需要30分钟，从而产品的良率实现效率不高的同时效率过慢的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：面对fab的eda软件集成平台，面对fab的eda软件集成平台，包括模型模块和修正程序模块，所述模型模块包括建立光刻工艺单元单元、测试圆形和晶圆数据准备单元、建模
3、所述修正程序模块包括设计规则检查单元、插入填充图形或进行逻辑操作单元、双重或多重形拆分单元、目标线宽调整/基于规则的修正单元、插入基于规则的亚分辨率辅助图形单元、基于模型的修正单元，可用于对模型的建立过程进行修正和检查。
4、进一步，所述模型模块，用于建立光刻芯片模型，所述修正程序模块，用于对光刻芯片模型的修正。
5、进一步，所述验证工具用于验证模型的准确性，并为验收修正程序、修正后的版图文件提供衡量标准。
6、进一步，所述建立光刻工艺单元包括光刻掩膜联合优化工具和光刻工艺仿真工具；
7、所述测试圆形和晶圆数据准备单元包括测绘图形绘制工具、量测gauge整体和量测receipe准备工具、测数据分析和处理工具；
8、所述建模工具单元包括模型校准工具、模型全局优化工具和模型结果分析工具。
9、进一步，所述设计规则检查单元包括drc工具；
10、所述插入填充图形或进行逻辑操作单元包括图层操作工具；
11、所述双重或多重形拆分单元包括dpt/mpt工具。
12、进一步，所述插入基于规则的亚分辨率辅助图形单元包括af添加工具。
13、进一步，所述基于模型的修正单元包括修正工具。
14、进一步，所述测试图形和晶圆量测数据包括晶圆两侧数据。
15、进一步，所述baseline的内部从上至下依次为建模、修正、验证和修正后的版图。
16、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：
17、1、该面对fab的eda软件集成平台，通过设置模型模块和修正程序模块，实施时，通过模型和修正程序的设计，模型基于建立光刻工艺单元、设计图形和晶圆数据准备单元基础上，建立光刻工艺单元分别借助光刻掩膜联合优化工具和光刻工艺仿真工具，设计图形和晶圆数据准备单元分别借助测绘图形绘制工具、量测gauge整体和量测receipe准备工具和量测数据分析和处理工具；测绘图形绘制工具定制开发具有灵活人机界面的绘图工具，能够导入多种基台的两侧数据，高速生成三维图，能够快速的发现当前工艺的薄弱点，为进一步提高良率作指导，具有三维高效、功能全面和灵活定制的特性。
18、2、该面对fab的eda软件集成平台，通过设置量测数据分析和处理工具，能够提高光刻部门进行工艺窗口评估效率，同时能提高ead软件wafer两侧数据整理效率，能够在leading fab中得到应用；通过借助fab工具，晶圆量测数据得出的测量结果，能够直接通过metro实现自动数据的clean和整理，并直接将数据传输至建模，而人工处理数据的方式则是对测量结果，先通过人工下载量测数据，然后通过cdsem进行查看，如果出现问题将重新测量数据，数据没有问题的情况下将人工进行建模数据生成，最后实现将数据传输至建模，整个对数据处理的效率大大提高，并且数据的准确度得到提升，解决了现有的先进芯片制造过程中，工作人员需要从多种机台人工下载数据，实现对数据的统计和计算，而且人工计算及上传结果易出错，导致实现全流程约需要30分钟，从而产品的良率实现效率不高的同时效率过慢的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.面对FAB的EDA软件集成平台，包括模型模块和修正程序模块，其特征在于；所述模型模块包括建立光刻工艺单元单元、测试圆形和晶圆数据准备单元、建模工具单元和版图文件查看单元；
2.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于，所述模型模块，用于建立光刻芯片模型，所述修正程序模块，用于对光刻芯片模型的修正。
3.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于，所述验证工具用于验证模型的准确性，并为验收修正程序、修正后的版图文件提供衡量标准。
4.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于,所述插入基于规则的亚分辨率辅助图形单元包括AF添加工具。
7.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于,所述基于模型的修正单元包括修正工具。
8.根据权利要求4所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特
9.根据权利要求1所述的面对FAB的EDA软件集成平台，其特征在于,所述Baseline的内部从上至下依次为建模、修正、验证和修正后的版图。
...【技术特征摘要】
1.面对fab的eda软件集成平台，包括模型模块和修正程序模块，其特征在于；所述模型模块包括建立光刻工艺单元单元、测试圆形和晶圆数据准备单元、建模工具单元和版图文件查看单元；
2.根据权利要求1所述的面对fab的eda软件集成平台，其特征在于，所述模型模块，用于建立光刻芯片模型，所述修正程序模块，用于对光刻芯片模型的修正。
3.根据权利要求1所述的面对fab的eda软件集成平台，其特征在于，所述验证工具用于验证模型的准确性，并为验收修正程序、修正后的版图文件提供衡量标准。
4.根据权利要求1所述的面对fab的eda软件集成平台，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：任谦，朱肇中，谢非凡，曹正煜，梁文青，修磊，
申请(专利权)人：上海芯无双仿真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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