【技术实现步骤摘要】
本技术属于物理测量装置，具体涉及一种磁光克尔效应与法拉第效应综合测量装置。
技术介绍
1、磁光克尔效应是指当线偏振光入射到磁化介质表面反射出去时，偏振面产生旋转的现象。磁光克尔效应在磁光存储技术中有着重要应用，并可广泛用于磁有序、磁各向异性以及层间耦合等问题的研究。法拉第效应是指当线偏振光通过沿光传输方向磁化的介质时，偏振面产生旋转的现象。该效应在光谱研究中可借以得到关于激发能级的有关知识，在激光技术中可用来隔离反射光，也可作为调制光波的手段。可见，磁光克尔效应与法拉第效应的区别仅在于光的反射或是透射。那么通过合理的设计，完全可将这两种效应的测量整合至同一套装置中，对于同时要测量磁光克尔效应与法拉第效应的科研机构来讲，能够有效节省设备的制造及购置成本。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种结构合理、操作方便、使用成本低廉的磁光克尔效应与法拉第效应综合测量装置。
2、本技术提供的磁光克尔效应与法拉第效应综合测量装置，只利用同一个电磁铁及同一套光学系统实现磁光克尔效应与法拉第效应综合测量；具体包括：激光器、电磁铁、高斯计、起偏器、检偏器、样品支架、光探测器、光功率指示器、转轴、转臂；其中：
3、所述激光器，用于发射单色光束；
4、所述电磁铁，其磁极间的磁感应强度由高斯计测量，电磁铁的两个铁芯中心沿磁场方向加工有对穿小孔，孔径大于激光器所发射光束的光斑直径；
5、所述起偏器和检偏器同为偏振器，起偏器用于调整激光器发射的光束的偏振角度，
6、所述样品支架，用于安装磁光克尔效应的待测样品，或用于安装法拉第效应的待测样品，且能保持样品在电磁铁的磁隙中心位置；
7、所述光探测器，用于将照射的光的强弱转化为电信号，通过电缆传输至光功率指示器；
8、所述光功率指示器，用于检测光探测器的电信号，并以数字方式指示光的强弱；
9、所述转轴，位于电磁铁底部，且在电磁铁磁隙中心位置的正下方；
10、所述转轴上伸出有两根转臂，其中一根转臂用于安装激光器和起偏器，另一根转臂用于安装检偏器和光探测器，两根转臂均可以转轴为中心在水平方向上转动，从而调节两根转臂的位置，以满足不同测量模式的需要。
11、所述装置包含三种测量模式：测量纵向磁光克尔效应时，待测样品的反射面垂直于电磁铁的铁芯方向，两根转臂与两个铁芯的间夹角相同；测量极向磁光克尔效应时，待测样品的反射面正对电磁铁的一个铁芯，两根转臂与该铁芯间的夹角相同；测量法拉第效应时，待测样品的透射面正对铁芯，两根转臂成180°，且激光器发射的光束能够从两个铁芯中的小孔穿过。在三种测量模式中，激光光束均按照激光器、起偏器、待测样品、检偏器、光探测器的光路顺序依次传播。
12、本技术使用时，首先根据待测样品及所要测量的效应，选择测量模式，调整转臂的角度使激光光束均按照激光器、起偏器、待测样品、检偏器、光探测器的顺序依次传播。调整起偏器使激光器发射的光束偏振角到达测量所需的角度。调整检偏器的角度，使光功率指示器的示数最小。通过电磁铁对磁极中心的待测样品施加磁场，使待测样品磁化，通过高斯计测量磁感应强度。调整检偏器的角度，再次使光功率指示器的示数最小，并记录检偏器转过的角度。利用高斯计所测得的磁感应强度数据及检偏器的偏转角度数据，即可测量、分析待测样品的纵向、极向磁光克尔效应或法拉第效应。
13、本技术结构合理，易于操作，综合了两种测量功能，有效降低了使用成本。
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1.一种磁光克尔效应与法拉第效应综合测量装置，其特征在于，只利用同一个电磁铁及同一套光学系统实现磁光克尔效应与法拉第效应综合测量；具体包括：激光器、电磁铁、高斯计、起偏器、检偏器、样品支架、光探测器、光功率指示器、转轴、转臂；其中：
2.根据权利要求1所述的磁光克尔效应与法拉第效应综合测量装置，其特征在于，所述测量模式为三种：
【技术特征摘要】
1.一种磁光克尔效应与法拉第效应综合测量装置，其特征在于，只利用同一个电磁铁及同一套光学系统实现磁光克尔效应与法拉第效应综合测量；具体包括：激光器、电磁铁、高斯计、起偏器...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑源明，罗双芹，时晨，王导博，肖飒，王振宇，
申请(专利权)人：上海复旦天欣科教仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：
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