【技术实现步骤摘要】
本技术涉及驱动电路，具体涉及一种低压驱动的推挽电路。
技术介绍
1、推挽电路是两个不同极性晶体管间连接的输出电路，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，在电路工作时，两个对称的功率开关晶体管每次只有一个导通，因此，导通损耗小、效率高，推挽输出具有既能向负载灌电流，也能从负载抽取电流的功能，该电路用于功率驱动产品，如电机驱动，igbt驱动，大灯驱动等。
2、但是，目前分立式的推挽电路均由两个三极管或者mos管组成，由p+n搭配总共4种组合，其中两种为常用方案，另外两种在使用时存在上下管直通风险，包括材料受损、电容和电感的衰减、延迟烧毁功率元件的死区问题。而常用的两种结构，均为上n下p，对于使用者来说，输入电平会直接影响输出电平，都需要较高的驱动电压才可以正常工作，否则上下管会承担较大的管压降，管内部流经较大电流，从而造成n管发热现象。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种低压驱动的推挽电路，以解决上述
技术介绍
中提到的技术问题。
2、为了实现上述目的，本技术公开了一种低压驱动的推挽电路，包括示波器xsc1、电源电压vdd、电阻r、二极管d1、三极管q和接地构成的推挽电路；所述推挽电路又包括低压驱动电路，所述低压驱动电路的结构包括所述电源电压vdd的正极串联电阻r2，所述电源电压vdd的负极依次串联三极管q2和三极管q3，且所述电阻r2与所述三极管q2并联，所述电阻r2的另一端串联三极管q1并接地，所述三极管q1的一端串联电阻r4，所述三极管
3、可选地，所述信号源v1采用低压5v的逻辑电平驱动上管三极管q2和下管三极管q3，并且设计留有硬件死区。
4、可选地，示波器xsc1拓扑串联连接电阻r1并接地，且示波器xsc1负极的一个引脚接地，位于所述三极管q2串联三极管q3电路之间连接示波器xsc1正极的一个引脚，其中，所述三极管q2和所述三极管q3作为驱动管。
5、可选地，所述三极管q1和所述三极管q3的类型均是采用低成本的n型mos，而不用p型mos，用于在电路中的上管接入低压5v进行驱动电路；所述三极管q1的上管nmos的门级是将逻辑取反，用于让一个控制信号带动2个mos同时工作；所述三极管q3的下管nmos的门级串联所述二极管d1增加死区时间，所述死区时间是用来保护mos管，避免上下管短路的情况发生。
6、可选地，所述信号源v1的电压幅值为5v，其频率为1khz；所述电源电压vdd的电压幅值为12v；所述三极管q1的型号为npn型的bc846b，所述三极管q2和三极管q3的型号相同，均为中功率npn型的2n6659；所述二极管d1的型号为1n4149，用于提供高反向电压；所述示波器xsc1上设置外触发输入通道，所述示波器xsc1是用于测量推挽电路中电压、电流和频率观察信号的波形和特征，判断电路中存在的问题和故障。
7、可选地，所述电阻r1的阻值为10kω，所述电阻r2的阻值为2.2kω，所述电阻r3的阻值为10kω，所述电阻r4的阻值为2.2kω，用于阻碍电流的流动来调节电路中的电压和电流，通过降低电流的流动速度，并相应地降低电压。
8、与现有技术相比，本技术具有以下优点：
9、1、该低压驱动的推挽电路中，通过在电路的上下管中都采用n型mos管，并在推挽电路中增加了二极管d1、三极管q3的结构，实现了电路低压驱动和增加死区时间的功能，达到了成本低、驱动电流大、低压驱动信号控制负载元件强和避免高温损失电子元件的效果。
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1.一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：包括示波器XSC1、电源电压VDD、电阻R、二极管D1、三极管Q和接地构成的推挽电路；所述推挽电路又包括低压驱动电路，所述低压驱动电路的结构包括所述电源电压VDD的正极串联电阻R2，所述电源电压VDD的负极依次串联三极管Q2和三极管Q3，且所述电阻R2与所述三极管Q2并联，所述电阻R2的另一端串联三极管Q1并接地，所述三极管Q1的一端串联电阻R4，所述三极管Q3的一端接地，另一端串联二极管D1，且在所述二极管D1和所述三极管Q3电路之间串联电阻R3并接地。
2.根据权利要求1所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：信号源V1采用低压5V的逻辑电平驱动上管三极管Q2和下管三极管Q3，并且设计留有硬件死区。
3.根据权利要求2所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：示波器XSC1拓扑串联连接电阻R1并接地，且示波器XSC1负极的一个引脚接地，位于所述三极管Q2串联三极管Q3电路之间连接示波器XSC1正极的一个引脚。
4.根据权利要求3所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：所述三极管Q1和所述三极管Q3
5.根据权利要求3所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：所述信号源V1为5V，其频率为1kHz；所述电源电压VDD的电压幅值为12V；所述三极管Q1的型号为NPN型的BC846B，所述三极管Q2和三极管Q3的型号相同，均为中功率NPN型的2N6659；所述二极管D1的型号为1N4149。
6.根据权利要求3所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：所述电阻R1的阻值为10kΩ，所述电阻R2的阻值为2.2kΩ，所述电阻R3的阻值为10kΩ，所述电阻R4的阻值为2.2kΩ。
...【技术特征摘要】
1.一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：包括示波器xsc1、电源电压vdd、电阻r、二极管d1、三极管q和接地构成的推挽电路；所述推挽电路又包括低压驱动电路，所述低压驱动电路的结构包括所述电源电压vdd的正极串联电阻r2，所述电源电压vdd的负极依次串联三极管q2和三极管q3，且所述电阻r2与所述三极管q2并联，所述电阻r2的另一端串联三极管q1并接地，所述三极管q1的一端串联电阻r4，所述三极管q3的一端接地，另一端串联二极管d1，且在所述二极管d1和所述三极管q3电路之间串联电阻r3并接地。
2.根据权利要求1所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：信号源v1采用低压5v的逻辑电平驱动上管三极管q2和下管三极管q3，并且设计留有硬件死区。
3.根据权利要求2所述的一种低压驱动的推挽电路，其特征在于：示波器xsc1拓扑串联连接电阻r1并接地，且示波器xsc1负极的一个引脚接地，位于所述三极管q...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨岩，陆鹏杰，
申请(专利权)人：博最科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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