【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微波等离子体辅助化学气相沉积，具体为一种提高金刚石纯度的mpcvd装置。
技术介绍
1、微波等离子体辅助化学气相沉积(mpcvd)法是当前最为流行，也是最有前景的大尺寸高品质金刚石单晶外延生长方法。该方法是通过将微波发生器产生的微波经过波导管导入特殊设计的反应腔体中发生谐振，产生频率和强度分布的电磁场，以此将反应腔体内的气体原料(通常为h2和ch4混合气体)进行激发，在样品台上产生均匀且稳定的等离子体。离化后的气体分子在衬底材料上进行沉积，从而实现金刚石的外延生长。
2、现有技术中，申请号为cn202111000448.x，申请名称为用于金刚石单晶生长的mpcvd装置，所记载的技术方案中，最大程度优化了多模等离子体谐振腔，有效增加了沉积面积，提高了功率密度和沉积速率。
3、但是在实际操作的过程中仍然存在着一些不足，比如正常情况下基底物沉积在酸洗液的底部，基底物的沉积会导致基底物与酸洗液的接触面积减小，并且，基底物堆积在酸洗液的底层位置，而位于上层的酸洗液与底层基底物接触的频率大大降低，基底物的酸洗效果由于沉积而减弱，基于上述问题，我们提出一种新型的提高金刚石纯度的mpcvd装置。
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本技术的实施方式的一些方面以及简要介绍一些较佳实施方式。在本部分以及本申请的说明书摘要和技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。
2、鉴于现有
3、因此，本技术的目的是提供一种提高金刚石纯度的mpcvd装置，在使用的过程中，方便底部的基底物与酸洗液充分的接触，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，有助于提高金刚石的纯度。
4、为解决上述技术问题，根据本技术的一个方面，本技术提供了如下技术方案：
5、一种提高金刚石纯度的mpcvd装置，其包括底座和升降气缸；
6、其中，
7、所述底座的顶部四角设置有立柱，所述立柱的顶部设置有工作台，所述工作台的顶部中间设置有气相沉积炉，所述气相沉积炉的顶部设置有密封盖，所述密封盖的顶部两侧分别设置有进气管和进液管；
8、所述升降气缸设置在底座的顶部中间，所述升降气缸的顶部设置有伺服电机，所述伺服电机的顶部输出端设置有转动杆，所述气相沉积炉的内腔中间设置有搅拌杆，且搅拌杆的底部与转动杆相连，所述搅拌杆的表面设置有搅拌叶片。
9、作为本技术所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置的一种优选方案，其中：所述气相沉积炉的前表面设置有控制盒，所述控制盒的前表面设置有显示单元，密封盖的顶部分别设置有温度传感器和压力传感器，且温度传感器和压力传感器的探头延伸至气相沉积炉的内部，所述温度传感器和压力传感器与显示单元电性连接。
10、作为本技术所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置的一种优选方案，其中：所述底座的底部四角设置有支撑脚架，所述支撑脚架的底部设置有防滑垫片。
11、作为本技术所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置的一种优选方案，其中：所述底座的顶部中间设置有与升降气缸相配合的气缸座。
12、作为本技术所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置的一种优选方案，其中：所述进气管和进液管的一端设置有连接端口，所述进气管和进液管上均设置有单向阀。
13、作为本技术所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置的一种优选方案，其中：所述气相沉积炉的底部设置有与转动杆相配合的密封轴套。
14、与现有技术相比，本技术的有益效果是：在底座的顶部设置有升降气缸，通过升降气缸带动伺服电机上下移动，通过伺服电机带动转动杆转动，转动杆带动搅拌杆和搅拌叶转盘，在使用的过程中，方便底部的基底物与酸洗液充分的接触，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，有助于提高金刚石的纯度；此外，通过设置有温度传感器和压力传感器，方便对反应过程中的温度和压力进行实时监控，安全性更高。
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1.一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：包括底座(100)和升降气缸(200)；
2.根据权利要求1所述的一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：所述气相沉积炉(140)的前表面设置有控制盒(300)，所述控制盒(300)的前表面设置有显示单元(310)，密封盖(150)的顶部分别设置有温度传感器(320)和压力传感器(330)，且温度传感器(320)和压力传感器(330)的探头延伸至气相沉积炉(140)的内部，所述温度传感器(320)和压力传感器(330)与显示单元(310)电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：所述控制盒(300)的内腔设置有独立电源，所述显示单元(310)包括显示屏和扬声器。
4.根据权利要求1所述的一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：所述底座(100)的底部四角设置有支撑脚架(110)，所述支撑脚架(110)的底部设置有防滑垫片。
5.根据权利要求1所述的一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：所述底座(100)的顶部中间设
6.根据权利要求1所述的一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：所述进气管(160)和进液管(170)的一端设置有连接端口，所述进气管(160)和进液管(170)上均设置有单向阀。
7.根据权利要求1所述的一种提高金刚石纯度的MPCVD装置，其特征在于：所述气相沉积炉(140)的底部设置有与转动杆(220)相配合的密封轴套。
...【技术特征摘要】
1.一种提高金刚石纯度的mpcvd装置，其特征在于：包括底座(100)和升降气缸(200)；
2.根据权利要求1所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置，其特征在于：所述气相沉积炉(140)的前表面设置有控制盒(300)，所述控制盒(300)的前表面设置有显示单元(310)，密封盖(150)的顶部分别设置有温度传感器(320)和压力传感器(330)，且温度传感器(320)和压力传感器(330)的探头延伸至气相沉积炉(140)的内部，所述温度传感器(320)和压力传感器(330)与显示单元(310)电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种提高金刚石纯度的mpcvd装置，其特征在于：所述控制盒(300)的内腔设置有独立电源，所述显示单元(310)包括显示屏和扬声器。
【专利技术属性】
技术研发人员：袁稳，郑怡，侯淅燕，郑华，
申请(专利权)人：成都稳正科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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