【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及包括垂直沟道晶体管的半导体存储器装置和/或制造该半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、提出了一种制造方法以在半导体装置的设计规则降低的情况下改善半导体装置的集成度并且改善操作速度和良率。
技术实现思路
1、晶体管可以包括垂直沟道以改善集成度、电阻和电流驱动能力。
2、专利技术构思提供一种具有改善的电特性和集成度的半导体存储器装置。
3、专利技术构思的实施例提供一种制造具有改善的电特性和集成度的半导体存储器装置的方法。
4、根据专利技术构思的一些实施例的半导体存储器装置可以包括：基底；多条位线，在所述基底上在第一方向上延伸；多个有源柱，分别位于所述多条位线上，所述多个有源柱中的每个具有在垂直于所述基底的上表面的方向上延伸的长度；字线，沿所述多个有源柱在第二方向上延伸；多个着陆垫，分别设置在所述多个有源柱上；以及多个数据存储图案，分别在所述多个着陆垫上。当在平面图中观看时，所述字线可以具有波浪形状。
5、根据专利技术构思的一些实施例的半导体存储器装置可以包括：基底；多条位线，在所述基底上在第一方向上延伸；多个有源柱，在所述多条位线上，所述多个有源柱中的每个具有在垂直于所述基底的上表面的方向上延伸的长度；多条字线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述多条字线中的每条沿在所述第二方向上布置的所述多个有源柱延伸；多个着陆垫，分别在所述多个有源柱上；以及多个数据存储图案，分别在所述多个着陆垫
6、根据专利技术构思的一些实施例的半导体存储器装置可以包括：外围电路结构，包括在基底上的核心和外围电路；多条位线，在所述外围电路结构上在第一方向上延伸；多个有源柱，在所述多条位线上，所述多个有源柱中的每个具有在垂直于所述基底的上表面的方向上的长度；字线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个有源柱中的每个的侧壁上，所述栅极绝缘层位于所述多个有源柱中的每个与所述字线之间并延伸到所述字线的底表面；栅极覆盖图案，在所述字线上；多个着陆垫，分别在所述多个有源柱上；以及多个数据存储图案，分别在所述多个着陆垫上。所述多个有源柱可以在所述第二方向上以锯齿形状布置。所述字线可以沿以锯齿形状布置的所述多个有源柱延伸。
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱沿着所述第二方向以锯齿形状布置。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱包括在所述第二方向上顺序布置的第一有源柱、第二有源柱、第三有源柱和第四有源柱，
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个着陆垫中的每个与所述多个有源柱中的对应的一个竖直对齐。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱包括至少一种非晶氧化物半导体，并且
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个数据存储图案中的每个包括电容器。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述字线包括在所述第一方向上交替布置的第一字线和第二字线，并且
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一字线中的每条具有所述波浪形状，并且
10.根据权利要求
11.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱沿着所述第二方向以锯齿形状布置，并且
13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱以蜂窝结构布置，并且
14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱以蜂窝结构布置，并且
15.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多条字线包括在所述第一方向上交替布置的第一字线和第二字线，并且
16.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
18.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
19.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
20.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱沿着所述第二方向以锯齿形状布置。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱包括在所述第二方向上顺序布置的第一有源柱、第二有源柱、第三有源柱和第四有源柱，
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个着陆垫中的每个与所述多个有源柱中的对应的一个竖直对齐。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源柱包括至少一种非晶氧化物半导体，并且
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个数据存储图案中的每个包括电容器。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述字线包括在所述第一方向上交替布置的第一字线和第二字线，并且
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一字线中的每条具有所述波浪形状，并且<...
【专利技术属性】
技术研发人员：金昶植，罗载元，宋俊和，朴桐湜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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