【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片质量评估领域，尤其涉及一种存储芯片的质量评估方法。
技术介绍
1、在当前数字化时代，存储芯片的性能和质量至关重要，因为它们直接影响到各种电子设备的性能和可靠性。传统的存储芯片评估方法通常缺乏自适应性，无法应对不断变化的工作负载；传统方法仅关注存储芯片的少数几个性能参数，但对存储芯片的物理线路状态和导线短路风险缺乏研究，导致无法捕捉到芯片在实际应用中可能面临的故障挑战。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种存储芯片的质量评估方法，以解决至少一个上述技术问题。
2、为实现上述目的，一种存储芯片的质量评估方法，所述方法包括以下步骤：
3、步骤s1：获取芯片负载需求数据；根据芯片负载需求数据对存储芯片进行立方体负载模拟，从而获取芯片负载模拟数据；
4、步骤s2：对芯片负载模拟数据进行电压响应高频监测，从而获取瞬态电压波动数据；对瞬态电压波动数据进行电流变化分析，从而获取电流变化分析数据；
5、步骤s3：根据电流变化分析数据对存储芯片进行芯片热应力检测，从而获取热应力影响数据；
6、步骤s4：对热应力影响数据进行导线击穿减损分析，从而获取导线击穿减损参数；利用导线击穿减损参数对存储芯片进行绝缘体参数修正，从而获取综合绝缘体参数；
7、步骤s5：根据综合绝缘体参数进行材质评价因子提取，从而获取芯片材质评价因子；根据芯片材质评价因子以及芯片导线特征数据进行存储芯片质量评估，以实现存储芯片的质量评估工作。
8、本申请的有益效果在于，通过获取芯片负载需求数据可以帮助了解芯片在实际应用中的使用情况和工作负荷，通过芯片负载模拟，可以模拟各种负载情况下的芯片工作状态，为后续分析提供准确的数据基础，芯片负载模拟数据能够反映芯片在不同负载条件下的性能特点和响应行为；通过电压响应高频监测，可以了解芯片在不同负载情况下的电压波动情况，提供电压变化的详细数据，瞬态电压波动数据可以帮助识别芯片在高频下的电压峰值、波形稳定性的特征，为后续电流变化分析提供依据，电流变化分析数据可以揭示芯片在负载变化时的电流响应行为，帮助评估电流变化的幅度、频率和响应速度；通过芯片热应力检测，可以评估芯片在不同负载下的热应力情况，包括温度分布、热梯度的信息，热应力影响数据可以帮助发现潜在的热问题；导线击穿减损分析可以评估芯片在热应力作用下导线的击穿风险和减损程度，提供导线寿命预测和故障分析依据，导线击穿减损参数可以指导绝缘体参数的修正，确保存储芯片的绝缘性能符合要求，提高芯片的可靠性和安全性；根据综合绝缘体参数进行材质评价因子提取可以从综合角度评估芯片的材料品质和性能特点，芯片材质评价因子结合芯片导线特征数据可以进行存储芯片的质量评估，帮助判断芯片是否符合设计要求、工艺标准和可靠性指标。因此，本申请旨在提出一种存储芯片的质量评估方法，以确保存储芯片应对不断变化的工作负载时的自适应性，并确保存储芯片稳定性。
9、优选地，步骤s1包括以下步骤：
10、步骤s11：获取芯片负载需求数据；根据芯片负载需求数据进行负载模型构建，从而获取工作负载模型数据；
11、步骤s12：利用工作负载模型数据对存储芯片进行负载模拟数据获取，从而获取负载模拟数据；
12、步骤s13：对负载模拟数据进行立方体空间随机访问，从而获取立方体随机访问数据；
13、步骤s14：利用立方体随机访问数据对负载模拟数据进行实际访问模拟，从而获取芯片负载模拟数据。
14、本专利技术通过获取芯片负载需求数据有助于了解芯片在实际应用中的使用情况，包括数据访问模式、读写操作频率、并发访问，构建负载模型可以将实际负载行为抽象成数学模型，使之可量化和可分析，为后续模拟提供准确的输入数据；负载模拟数据是通过模拟芯片在不同负载情况下的行为来生成的，可用于评估芯片的性能和响应，负载模拟数据可以帮助确定在不同负载条件下芯片的读写延迟、吞吐量、能效的性能指标；立方体随机访问数据可以模拟实际数据访问中的随机性，包括数据块的随机分布和访问模式，有助于更真实地反映芯片在复杂的应用场景中的性能表现，特别是在随机访问的负载下；实际访问模拟可以根据立方体随机访问数据模拟真实应用中的数据访问模式，包括读取、写入、删除的操作，生成的芯片负载模拟数据更接近实际应用中的情况，可用于性能评估、故障模拟和可靠性测试。
15、优选地，步骤s13包括以下步骤：
16、步骤s131：对负载模拟数据进行存储空间可视化，从而获取三维存储立方体数据；
17、步骤s132：对三维存储立方体数据进行存储空间坐标映射并进行索引，从而获取立方体索引表数据；
18、步骤s133：对三维存储立方体数据进行魔方随机拧动处理，从而获取魔方随机拧动数据；
19、步骤s134：对魔方随机拧动数据进行随机单点标记，从而获取随机单点标记数据；
20、步骤s135：利用立方体索引表数据对随机单点标记数据进行立方体空间关联，从而获取立方体空间随机系数；
21、步骤s136：利用立方体空间随机系数对负载模拟数据进行随机访问补偿，从而获取立方体随机访问数据。
22、本专利技术通过存储空间可视化可以将负载模拟数据以三维形式呈现，提供了对数据分布和访问模式的直观理解，以发现数据的聚集性、分散性、局部偏好的特征，对存储芯片的设计和优化提供了有价值的参考；存储空间坐标映射和索引使得可以快速访问和操作存储芯片的特定数据块，立方体索引表数据提供了对数据的空间分布和位置关系的描述，方便后续的数据处理和访问；魔方随机拧动处理能够对存储数据进行随机排序和混洗，模拟现实应用中的数据访问模式的不确定性，有助于更准确地模拟实际数据的随机性和变化性，提高模拟结果的真实性和可靠性；随机单点标记可以选择魔方随机拧动数据中的特定数据点进行标记，以模拟实际数据访问中的读取或写入操作，有助于生成模拟数据中的具体操作指令，使得负载模拟更加逼近实际应用中的行为；立方体空间关联可以基于立方体索引表数据将随机单点标记数据与存储空间的实际位置进行关联，立方体空间随机系数提供了描述数据访问模式在存储空间中的分布和相关性的信息，利用立方体空间随机系数可以对负载模拟数据进行调整，增加随机访问模式，以更好地模拟实际的数据访问行为，立方体随机访问数据反映了存储芯片的实际访问模式，可用于评估芯片的性能特征和应对不同负载情况下的性能优化需求。
23、优选地，步骤s3包括以下步骤：
24、步骤s31：根据电流变化分析数据进行电流路径图构建，从而获取电流路径图数据；
25、步骤s32：对电流变化分析数据进行电子动能减损预测，从而获取电子动能减损数据；
26、步骤s33：对电子动能减损数据进行热能转换计算，从而获取热能转换数据；
27、步骤s34：对电流路径图数据进行高温区域标记，从而获取高温区域标记数据；
28、步骤s35：根据高温本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储芯片的质量评估方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S1包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S13包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S3包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，热能转换计算通过热能转换计算公式进行处理，其中热能转换计算公式具体为：
6.根据权利要求4所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S36包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，材料热应力计算通过材料热应力计算公式进行处理，其中材料热应力计算公式具体为：
8.根据权利要求6所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S364包括以下步骤：
9.根据权利要求1所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S4包括以下步骤：
10.根据权利要求1所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤S5包括以下步
...【技术特征摘要】
1.一种存储芯片的质量评估方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤s1包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤s13包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的存储芯片的质量评估方法，其特征在于，步骤s3包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，热能转换计算通过热能转换计算公式进行处理，其中热能转换计算公式具体为：
6.根据权利...
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