【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电镀，特别是涉及一种多级节水清洗系统。
技术介绍
1、硅片(silicon wafer)是半导体芯片制造的基础材料，用于制作集成电路、光伏电池等器件，硅片的表面通常经过多次的抛光和清洗处理，以保证表面的平整度和纯净度。
2、链式机浸泡槽广泛应用于各个行业，如汽车制造、电子制造、金属加工等。它能够高效地完成对物品的浸泡处理，提高生产效率和产品质量。链式机浸泡槽也通常被用于硅片的清洗工艺，浸泡槽内盛放特定种类液体清洗剂，链条带着悬挂的硅片沿着浸泡槽内部运动或在多个浸泡槽之间运动，使硅片充分接触清洗液，通过对硅片进行多次一定时长的浸泡处理，使硅片表面达到所需清洁度。同时，链式机浸泡槽还可以根据不同的工艺要求进行定制，满足不同型号硅片的需求。
3、现有链式机需要使用大量的清洗剂对经过不同工艺处理的硅片进行清洗，每个工艺槽之后均需配置浸泡槽对其进行清洗，并且需确保清洗合格后才能进入到下一个工艺，因此为保证产品清洗效果，工艺槽之间通常会设置多个浸泡槽，这将导致需要消耗大量清洗剂，造成不必要的资源浪费。
4、因此，需要提供一种针对上述现有技术中的不足的改进技术方案。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术中硅片清洗设备存在的缺陷及不足，本申请的目的在于提供一种多级节水清洗系统，通过使用级联管路对清洗系统依次串联，使后段清洗液能够回输至前段清洗槽中，实现不同洁净度的清洗液循环利用，极大的节约了水资源和清洗成本。
2、本申请提供了一种多级节水
3、工艺槽，沿产线运行方向依次排布；
4、清洗系统，沿产线运行方向依次间隔设置于所述工艺槽之间，用以对其相邻前段的所述工艺槽加工完成的产品进行清洗；
5、级联管路，沿产线运行方向将相邻的两个所述清洗系统依次串联，用以将后段所述清洗系统的清洗液传输至与其相邻的前段所述清洗系统中。
6、在一个实施方式中，相邻两个所述工艺槽之间至少设置一个所述清洗系统。
7、在一个实施方式中，在相邻的两个所述清洗系统中，位于后段的所述清洗系统的储液槽液位高于位于前段的所述清洗系统的储液槽液位。
8、在一个实施方式中，在相邻的两个所述清洗系统中，位于后段的所述清洗系统的储液槽洁净度高于位于前段的所述清洗系统的储液槽的洁净度。
9、在一个实施方式中，所述清洗系统至少包括用于容纳清洗液并对工件进行浸泡的清洗槽，以及，位于所述清洗槽下方用于储存清洗液的储液槽；
10、所述清洗槽与所述储液槽之间设置泵供液系统和回流系统；所述储液槽、所述泵供液系统、所述清洗槽和所述回流系统依次连接形成闭合循环液路；所述泵供液系统用以将所述储液槽中的液体供给至所述清洗槽，所述回流系统用以将所述清洗槽的液体回输至所述储液槽。
11、在一个实施方式中，所述清洗槽外侧设置溢流槽，用以存放所述清洗槽溢出的清洗液，调节所述清洗槽的液位，所述回流系统连通所述溢流槽与所述储液槽。
12、在一个实施方式中，所述溢流槽的数量为两个并对称设置于所述清洗槽两侧，两个所述溢流槽均通过所述回流系统与所述储液槽连通。
13、在一个实施方式中，所述储液槽配置排液阀，用以调节所述储液槽液位。
14、在一个实施方式中，所述多级节水清洗系统为二级节水系统，至少包括：
15、沿产线运行方向依次排布的第一工艺槽和第二工艺槽；
16、沿产线运行方向分别设置于所述第一工艺槽与所述第二工艺槽后端的第一清洗系统和第二清洗系统，所述第一清洗系统用以对第一工艺槽加工完成的产品进行清洗，所述第二清洗系统用以对第二工艺槽加工完成的产品进行清洗；
17、级联管路，连通所述第一清洗系统与所述第二清洗系统，用以将所述第二清洗系统的清洗液传输至所述第一清洗系统中；
18、其中，所述第二清洗系统中的清洗液洁净度高于所述第一清洗系统中的清洗液洁净度。
19、在一个实施方式中，所述多级节水清洗系统可以为二级、三级、四级…n级节水系统。
20、与现有技术相比，本申请提供的技术方案具有以下有益效果：
21、本申请的技术方案是基于现有链式机水槽进行的节水设计改进，通过在不同工艺槽之间设置清洗系统，且使用级联管路对清洗系统依次串联，使后段清洗液能够依次回输至与其相邻的前段清洗槽中，实现不同洁净度的清洗液循环利用，极大的节约了水资源和清洗成本；另外，位于后段的所述清洗系统的储液槽液位高于位于前段的所述清洗系统的储液槽液位，由此级联管路可以利用液体压差进行清洗液回输过程，更加节省能耗；另外，每个清洗系统中还设置溢流槽，用以存放清洗槽溢出的清洗液，调节所述清洗槽的液位，通过回流系统输送至储液槽备用，实现了资源循环利用和合理分配。
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1.一种多级节水清洗系统，其特征在于，所述多级节水清洗系统至少包括：
2.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，相邻两个所述工艺槽之间至少设置一个所述清洗系统。
3.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，在相邻的两个所述清洗系统中，位于后段的所述清洗系统的储液槽液位高于位于前段的所述清洗系统的储液槽液位。
4.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，在相邻的两个所述清洗系统中，位于后段的所述清洗系统的储液槽洁净度高于位于前段的所述清洗系统的储液槽的洁净度。
5.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述清洗系统至少包括用于容纳清洗液并对工件进行浸泡的清洗槽，以及，位于所述清洗槽下方用于储存清洗液的储液槽；
6.根据权利要求5所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述清洗槽外侧设置溢流槽，用以存放所述清洗槽溢出的清洗液，调节所述清洗槽的液位，所述回流系统连通所述溢流槽与所述储液槽。
7.根据权利要求6所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述溢流槽的数量为两个并对称设置
8.根据权利要求5所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述储液槽配置排液阀，用以调节所述储液槽液位。
9.根据权利要求1～8任一所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述多级节水清洗系统为二级节水系统，至少包括：
10.根据权利要求1～8任一所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述多级节水清洗系统可以为二级、三级、四级…N级节水系统。
...【技术特征摘要】
1.一种多级节水清洗系统，其特征在于，所述多级节水清洗系统至少包括：
2.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，相邻两个所述工艺槽之间至少设置一个所述清洗系统。
3.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，在相邻的两个所述清洗系统中，位于后段的所述清洗系统的储液槽液位高于位于前段的所述清洗系统的储液槽液位。
4.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，在相邻的两个所述清洗系统中，位于后段的所述清洗系统的储液槽洁净度高于位于前段的所述清洗系统的储液槽的洁净度。
5.根据权利要求1所述的多级节水清洗系统，其特征在于，所述清洗系统至少包括用于容纳清洗液并对工件进行浸泡的清洗槽，以及，位于所述清洗槽下方用于储存清洗液的储液槽；
【专利技术属性】
技术研发人员：付金海，
申请(专利权)人：上海普达特设备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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