半导体结构及其形成方法、存储器技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、存储器；其中，所述方法包括：沿第一方向和第二方向阵列排布的第一有源区、以及位于每一所述第一有源区四周至少一侧的第二有源区；其中，一个所述第一有源区与相邻的一个所述第二有源区构成一个有源区组；每一所述有源区组中，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第一方向或者所述第二方向上的投影至少部分重合；所述第一方向与所述第二方向在所在平面内相交，多个所述有源区组沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法、存储器。

技术介绍

1、目前，通常在有源区表面形成半导体结构。现有技术中的有源区多采用6f2或者4f2排布方式排布，然而，这种排布方式会导致形成于有源区表面的半导体结构的微缩变得十分困难，从而使得形成的半导体结构占用面积大、集成度低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、存储器。

2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构，包括：沿第一方向和第二方向阵列排布的第一有源区、以及位于每一所述第一有源区四周至少一侧的第二有源区；其中，一个所述第一有源区与相邻的一个所述第二有源区构成一个有源区组；每一所述有源区组中，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第一方向或者所述第二方向上的投影至少部分重合；所述第一方向与所述第二方向在所在平面内相交；多个所述有源区组沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布。

3、在一些实施例中，所述第二有源区位于沿所述第一方向排列的第i列所述第一有源区中相邻的两个所述第一有源区之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：沿第一方向和第二方向阵列排布的第一有源区、以及位于每一所述第一有源区四周至少一侧的第二有源区；其中，一个所述第一有源区与相邻的一个所述第二有源区构成一个有源区组；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二有源区位于沿所述第一方向排列的第i列所述第一有源区中相邻的两个所述第一有源区之间、且所述第二有源区位于沿所述第二方向依次每相邻的两个所述第一有源区之间，i为正偶数或者正奇数。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，位于相邻的两个所述第一有源区之间的第二有源区沿所述第二方向或者所述第一方...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：沿第一方向和第二方向阵列排布的第一有源区、以及位于每一所述第一有源区四周至少一侧的第二有源区；其中，一个所述第一有源区与相邻的一个所述第二有源区构成一个有源区组；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二有源区位于沿所述第一方向排列的第i列所述第一有源区中相邻的两个所述第一有源区之间、且所述第二有源区位于沿所述第二方向依次每相邻的两个所述第一有源区之间，i为正偶数或者正奇数。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，位于相邻的两个所述第一有源区之间的第二有源区沿所述第二方向或者所述第一方向延伸；沿所述第二方向，位于每相邻的两个所述第一有源区之间的第二有源区沿所述第一方向或者所述第二方向延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向和/或所述第二方向延伸的所述第二有源区，在所述第一方向上交错排布。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，一个所述有源区组中的所述第二有源区位于所述第一有源区沿所述第一方向的一侧；所述第二有源区沿所述第一方向或者所述第二方向延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向排布的多行所述第一有源区在所述第一方向上交错排布；

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向相邻的两个所述有源区组中，一个所述有源区组中的所述第一有源区与另一个所述有源区组中的所述第二有源区沿所述第二方向相邻设置。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区组中的第二有源区位于第一有源区沿所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：