System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二次电池用负极及二次电池制造技术_技高网

二次电池用负极及二次电池制造技术

技术编号:41267103 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-11 09:22
作为本发明专利技术的一个方案的二次电池用负极的特征在于,其具备负极集电体和配置于所述负极集电体上的负极复合材料层,所述负极复合材料层具有包含碳材料和Si系材料的负极活性物质,所述负极复合材料层的内部具有多个空隙,通过压汞法测定的所述负极复合材料层的孔径分布具有2个峰值R1和R2,所述多个空隙的长轴方向的长度除以短轴方向的长度而得到的长宽比为2以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及二次电池用负极及二次电池


技术介绍

1、目前,si系材料作为可实现电池的高容量化的材料备受关注。si系材料为电化学上能够吸藏及释放锂离子的材料,与石墨等碳材料相比,可以以非常大的容量进行充放电。

2、例如,专利文献1中公开了一种锂离子二次电池用负极活性物质,其特征在于,其为包含siox(0<x<2)所示的si系材料和碳材料的锂离子二次电池用负极活性物质,该锂离子二次电池用负极活性物质在内部具有空隙。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2013-219059号公报

6、专利文献2:国际公开第2021/079698号


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、但是,si系材料虽然能够实现二次电池的高容量化,但另一方面存在负极膨胀、进而充放电循环特性下降的问题。专利文献1的技术虽然也可以抑制充放电循环特性的下降,但有待进一步改善。

3、为此,本专利技术的目的在于,提供能够抑制负极的膨胀、进而能够抑制充放电循环特性的下降的二次电池用负极、二次电池。

4、用于解决问题的方案

5、作为本专利技术的一个方案的二次电池用负极的特征在于,其具备负极集电体和配置于所述负极集电体上的负极复合材料层,所述负极复合材料层具有包含碳材料和si系材料的负极活性物质,所述负极复合材料层的内部具有多个空隙,通过压汞法测定的所述负极复合材料层的孔径分布具有2个峰值r1和r2,所述多个空隙的长轴方向的长度除以短轴方向的长度而得到的长宽比为2以上。

6、作为本专利技术的一个方案的二次电池的特征在于,其具备所述二次电池用负极。

7、专利技术的效果

8、根据本专利技术,可提供能够抑制负极的膨胀、进而能够抑制充放电循环特性的下降的二次电池用负极、二次电池。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二次电池用负极,其具备负极集电体和配置于所述负极集电体上的负极复合材料层,

2.根据权利要求1所述的二次电池用负极,其中,所述多个空隙具有长轴方向的长度除以短轴方向的长度而得到的长宽比为2以上且5以下的各向异性空隙。

3.根据权利要求1或2所述的二次电池用负极,其中,相对于所述负极活性物质的总质量,所述Si系材料的含量为30质量%以上。

4.根据权利要求3所述的二次电池用负极,其中,相对于所述负极活性物质的总质量,所述Si系材料的含量为30质量%以上且60质量%以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的二次电池用负极,其中,在所述负极复合材料层的剖视中,所述各向异性空隙具有角部。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的二次电池用负极,其中,在所述负极复合材料层的剖视中,所述各向异性空隙具有平面部。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的二次电池用负极,其中,在所述负极复合材料层的剖视中,所述各向异性空隙的形状为矩形。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的二次电池用负极,其中,所述峰值R1为0.5μm以上且1.5μm以下,所述峰值R2为2μm以上且10μm以下。

9.一种二次电池,其具备上述权利要求1~8中任一项所述的二次电池用负极。

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种二次电池用负极,其具备负极集电体和配置于所述负极集电体上的负极复合材料层,

2.根据权利要求1所述的二次电池用负极,其中,所述多个空隙具有长轴方向的长度除以短轴方向的长度而得到的长宽比为2以上且5以下的各向异性空隙。

3.根据权利要求1或2所述的二次电池用负极,其中,相对于所述负极活性物质的总质量,所述si系材料的含量为30质量%以上。

4.根据权利要求3所述的二次电池用负极,其中,相对于所述负极活性物质的总质量,所述si系材料的含量为30质量%以上且60质量%以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的二次电池用...

【专利技术属性】
技术研发人员:谷口明宏坂田基浩井上薫名仓健祐
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社
类型:发明
国别省市:

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