【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路制造，尤其涉及一种硬掩模层去除方法及半导体结构。
技术介绍
1、随着集成电路制造技术的不断发展和关键尺寸的不断减小，控制图形形貌变得越来越困难，硬掩模技术被引入，并应用到越来越多的位置。
2、目前，传统的硬掩模去除方法比较复杂，通常需要使用特殊化学品，通过湿法刻蚀的方式去除硬掩模。然而，化学品在刻蚀过程中可能发生非预期的反应，引入表面缺陷或损伤，影响半导体结构的生产良率和使用可靠性。
3、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种硬掩模层去除方法及半导体结构，可以避免非预期的材料去除，在去除硬掩模层时不会引入表面缺陷或损伤，有利于提升半导体结构的生产良率和使用可靠性。
2、根据一些实施例，本申请一方面提供了一种硬掩模层去除方法，包括如下步骤：
3、提供衬底；所述衬底内形成有引出区域，所述衬底上形成有由下至上依次叠置的半导体叠层结构和硬掩模层；
4、形成贯穿所述硬掩模层和所述半导体叠层结构的开口；所述开口暴露出至少部分所述引出区域；
5、于所述开口内填充保护介质层；所述保护介质层的顶面不高于所述硬掩模层的底面；
6、去除所述硬掩模层。
7、在一些实施例中，所述于所述开口内填充保护介质层，包括如下步骤：
8、形成保护介质材料
9、对所述保护介质材料层进行回刻，以使保留的所述保护介质材料层的顶面不高于所述硬掩模层的底面；保留的所述保护介质材料层作为所述保护介质层。
10、在一些实施例中，对所述保护介质材料层进行回刻之后，还包括如下步骤：
11、对所述保护介质层的顶面进行平坦化处理。
12、在一些实施例中，所述保护介质层包括旋涂聚合材料层。
13、在一些实施例中，所述旋涂聚合材料层的构成材料包括含碳的高分子聚合物。
14、在一些实施例中，所述保护介质层的顶面低于所述半导体叠层结构的顶面。
15、在一些实施例中，所述硬掩模层包括金属硬掩模层。
16、在一些实施例中，所述金属硬掩模层包括氮化钛层。
17、在一些实施例中，所述去除所述硬掩模层，包括如下步骤：
18、采用干法刻蚀工艺，去除所述硬掩模层。
19、根据一些实施例，本申请另一方面还提供了一种半导体结构，制备所述半导体结构的过程中，包括如上一些实施例中所述的硬掩模层去除方法的步骤。
20、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
21、本申请实施例可以/至少具有以下优点：
22、在本申请实施例中，在硬掩模层和半导体叠层结构中形成暴露出引出区域的开口之后，在开口内填充保护介质层。保护介质层的顶面不高于硬掩模层的底面，可完整地暴露出硬掩模层，同时由于保护介质层填充于开口内，在去除硬掩模层的过程中，可以通过保护介质层对半导体叠层结构和衬底起到保护作用。如此，不仅可以避免非预期的材料去除或者对周围材料产生影响，还可以避免在去除硬掩模层时引入表面缺陷或损伤，从而有利于提升半导体结构的生产良率和使用可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硬掩模层去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述于所述开口内填充保护介质层，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，对所述保护介质材料层进行回刻之后，还包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述保护介质层包括旋涂聚合材料层。
5.根据权利要求4所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述旋涂聚合材料层的构成材料包括含碳的高分子聚合物。
6.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述保护介质层的顶面低于所述半导体叠层结构的顶面。
7.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述硬掩模层包括金属硬掩模层。
8.根据权利要求7所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述金属硬掩模层包括氮化钛层。
9.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述去除所述硬掩模层，包括如下步骤：
10.一种半导体结构，其特征在于，制备所述半导体结构的过
...【技术特征摘要】
1.一种硬掩模层去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述于所述开口内填充保护介质层，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，对所述保护介质材料层进行回刻之后，还包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述保护介质层包括旋涂聚合材料层。
5.根据权利要求4所述的硬掩模层去除方法，其特征在于，所述旋涂聚合材料层的构成材料包括含碳的高分子聚合物。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，赵朵朵，董信国，孟昭生，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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