【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超高纯钴板制备,具体涉及一种提升超高纯钴板表面质量的方法及超高纯钴板。
技术介绍
1、高纯金属在集成电路领域的重要材料地位举足轻重。在集成电路制造领域,我国对于纯度至少5n以上的高纯钴材料的需求迫切,其中集成电路用高纯钴靶材是关键的芯片用接触层材料,基于自对准应变硅技术的硅化钴栅极可提高沟道内载流子迁移率,降低器件阻抗与功耗,提升驱动电流、频率响应和操作速度,是90nm及以上特征尺寸的大规模集成电路中的关键材料。
2、目前制备超高纯钴板多采用不溶阳极电沉积技术,在阴极上沉积出超高纯钴板,电沉积超高纯钴板表面质量受多种因素的影响,如阴极的表面粗糙度、电解液物化参数、电沉积工艺参数等,实际生产表明参数控制不当,将导致电沉积超高纯钴板易现翘边、裂纹、气孔等问题。上述问题产生的不利影响如:第一,翘边的超高纯钴板自身弯曲,增加了下游客户的深加工难度;第二,钴板翘边容易出现脱落问题,无法继续电积生长,导致厚度不足和生产效率低的问题;第三、翘边的超高纯钴板,存在接触到相邻的阳极,导致短路打火污染电解液的问题。第四、气孔导致产
...【技术保护点】
1.一种提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述含钴离子电解液中钴离子浓度为100~200g/L;
3.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述净化电解液在700~800nm可见光范围的平均透过率≥80%;
4.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述添加剂与所述净化电解液的体积比为1:(5000~10000);
5.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述电沉积过
...【技术特征摘要】
1.一种提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述含钴离子电解液中钴离子浓度为100~200g/l;
3.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述净化电解液在700~800nm可见光范围的平均透过率≥80%;
4.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述添加剂与所述净化电解液的体积比为1:(5000~10000);
5.如权利要求1所述的提升超高纯钴板表面质量的方法,其特征在于,所述电沉积过程中所述电解装置的真空度为0.01~0.05mpa;
6.如权利要求1或2所述的提升超高纯钴板表面质量的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓俊宝,吴松,田冲,揭华琳,贺昕,雷俊元,钱友强,刘森,
申请(专利权)人:山东有研国晶辉新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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