【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种图像传感器制造方法。
技术介绍
1、随着cmos图像传感器发展，其像素区的尺寸逐渐减小，满阱容量(fwc，full wellcapacity)性能成为制约cis产品发展的关键。
2、在相关技术中，cmos图像传感器的像素区通常先进行砷离子注入，然后通过高温退火以有效激活注入的砷离子。然而，由于cmos图像传感器中的浅沟槽隔离结构在进过化学机械研磨后，其边缘位置出现硅外露，从而在高温退火步骤后浅沟槽隔离结构的边缘位置出现损坏，该浅沟槽隔离结构的边缘位置也为有源区的交界位置，因此浅沟槽隔离结构的边缘位置损坏也会导致有源区缺陷。
技术实现思路
1、本申请提供了一种图像传感器制造方法，可以解决相关技术中浅沟槽隔离结构边缘位置硅外露导致温退火步骤后有源区缺陷的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种图像传感器制造方法，所述图像传感器制造方法包括以下步骤：
3、提供图像传感器基底层，所述图像传感器基底层包括低密度有源区和高密度有源区，所述低密度有源区被第一浅沟槽隔离结构间隔，所述高密度有源区被第二浅沟槽隔离结构间隔，所述第一浅沟槽隔离结构的宽度大于所述第二浅沟槽隔离结构的宽度；
4、对所述图像传感器基底层进行化学机械研磨，平坦化所述第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，化学机械研磨后的第一浅沟槽隔离结构上表面相对于所述图像传感器基底层的上表面凹陷；
5、对所述图像传感器基
6、沉积保护氧化层，所述保护氧化层至少覆盖在第一浅沟槽隔离结构上表面与低密度有源区上表面之间的交界位置处，以保护所述交界位置处的裸露硅；
7、进行高温热退火以激活所述砷离子；
8、湿法刻蚀去除所述保护氧化层。
9、可选地，所述沉积保护氧化层，所述保护氧化层至少覆盖在所述第一浅沟槽隔离结构与低密度有源区之间的交界位置处，以保护所述交界位置处的裸露硅包括：
10、毯式沉积保护氧化层，所述保护氧化层覆盖在包括第一浅沟槽隔离结构上表面、低密度有源区上表面、第一浅沟槽隔离结构上表面与低密度有源区上表面之间的交界位置处、第二浅沟槽隔离结构上表面和高密度有源区上表面在内的图像传感器基底层上表面。
11、可选地，通过cvd、harp、hdp、lvcvd工艺中的任意一种或多种沉积保护氧化层。
12、可选地，所述保护氧化层的厚度为20a至5000a。
13、可选地，所述进行高温热退火以激活所述砷离子的步骤，包括：
14、在1000℃至1200℃温度的炉管环境中，通入包括保护气体在内的气氛，对注入有砷离子的图像传感器基底层进行高温热退火以激活所述砷离子。
15、可选地，所述保护氧化层阻挡所述保护气体与所述交界位置处的裸露硅反应。
16、可选地，所述提供图像传感器基底层，所述图像传感器基底层包括低密度有源区和高密度有源区，所述低密度有源区被第一浅沟槽隔离结构间隔，所述高密度有源区被第二浅沟槽隔离结构间隔，所述第一浅沟槽隔离结构的宽度大于所述第二浅沟槽隔离结构的宽度中，所述低密度有源区和高密度有源区上表面覆盖有像素区氧化层。
17、可选地，所述湿法刻蚀去除所述保护氧化层的步骤完成后，保留所述像素区氧化层。
18、本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请通过覆盖在第一浅沟槽隔离结构上表面与低密度有源区上表面之间的交界位置处的保护氧化层，能够对从该交界位置处裸露的裸露硅起到保护，由于第一浅沟槽隔离结构上表面与低密度有源区上表面之间的交界位置处的裸露硅上覆盖有保护氧化层，从而在高温热退火以激活所述砷离子的过程中，该交界位置处的裸露硅不会被损坏。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器制造方法，其特征在于，所述图像传感器制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述沉积保护氧化层，所述保护氧化层至少覆盖在所述第一浅沟槽隔离结构与低密度有源区之间的交界位置处，以保护所述交界位置处的裸露硅包括：
3.如权利要求1或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，通过CVD、HARP、HDP、LVCVD工艺中的任意一种或多种沉积保护氧化层。
4.如权利要求或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述保护氧化层的厚度为20A至5000A。
5.如权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述进行高温热退火以激活所述砷离子的步骤，包括：
6.如权利要求5所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述保护氧化层阻挡所述保护气体与所述交界位置处的裸露硅反应。
7.如权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述提供图像传感器基底层，所述图像传感器基底层包括低密度有源区和高密度有源区，所述低密度有源区被第一浅沟槽隔离结构间隔，所述高密度有源区被第二浅
8.如权利要求7所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀去除所述保护氧化层的步骤完成后，保留所述像素区氧化层。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器制造方法，其特征在于，所述图像传感器制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述沉积保护氧化层，所述保护氧化层至少覆盖在所述第一浅沟槽隔离结构与低密度有源区之间的交界位置处，以保护所述交界位置处的裸露硅包括：
3.如权利要求1或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，通过cvd、harp、hdp、lvcvd工艺中的任意一种或多种沉积保护氧化层。
4.如权利要求或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述保护氧化层的厚度为20a至5000a。
5.如权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述进行高温热退火以激活所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晨旭，郑晓辉，张栋，赵明，刘敏，罗呼学，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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