【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无线通信，具体涉及一种基于三维金属微加工的超宽带表贴式混频器。
技术介绍
1、近年来，随着通信需求的增加、工艺精度的提高以及科学研究的深入，毫米波和太赫兹领域的发展十分迅速。由于毫米波/太赫兹频段具有波长短、分辨率高、带宽范围大、穿透性较强、光子能量较低等特点，能够显著提升通信器件和通信系统的小型化、轻量化、高效化和安全性等方面的指标，因此毫米波/太赫兹技术已经被广泛应用到成像检测、高速通信、天文探测、气象卫星和生物医疗等多个领域。
2、由于毫米波/太赫兹频段的器件和系统具有体积小的特点，因此对加工工艺的要求很高。加工工艺的发展水平影响和制约了毫米波/太赫兹频段的器件性能。为了缓解加工成本和器件性能之间的矛盾，以期在较低的成本下加工出性能优异的毫米波/太赫兹器件和系统，近年来国内外研发出了各种微加工工艺，有cnc加工技术、深硅刻蚀(drie)技术、su8光刻胶技术、3d打印技术、三维金属微加工技术(常称微同轴工艺)等。cnc加工技术非常成熟，最早被用来加工毫米波/太赫兹器件，但是cnc加工属于减材制造，加工微小...
【技术保护点】
1.一种基于三维金属微加工的超宽带表贴式混频器，其特征在于，包括本振端的波导至同轴的过渡结构(1)、本振端的阻抗匹配网络(2)、中频端的接口至同轴的过渡结构(3)、中频低通滤波器(4)、中频端的阻抗匹配网络(5)、本振-中频双工的连接结构(6)、本振低通滤波器(7)、第一阻抗匹配网络(8)、二极管芯片及其同轴封装结构(9)、第二阻抗匹配网络(10)和射频端的同轴至波导的过渡结构(11)；本振端的波导至同轴的过渡结构(1)和本振端的阻抗匹配网络(2)连接，中频端的接口至同轴的过渡结构(3)、中频低通滤波器(4)、中频端的阻抗匹配网络(5)、本振-中频双工的连接结构(6)...
【技术特征摘要】
1.一种基于三维金属微加工的超宽带表贴式混频器，其特征在于，包括本振端的波导至同轴的过渡结构(1)、本振端的阻抗匹配网络(2)、中频端的接口至同轴的过渡结构(3)、中频低通滤波器(4)、中频端的阻抗匹配网络(5)、本振-中频双工的连接结构(6)、本振低通滤波器(7)、第一阻抗匹配网络(8)、二极管芯片及其同轴封装结构(9)、第二阻抗匹配网络(10)和射频端的同轴至波导的过渡结构(11)；本振端的波导至同轴的过渡结构(1)和本振端的阻抗匹配网络(2)连接，中频端的接口至同轴的过渡结构(3)、中频低通滤波器(4)、中频端的阻抗匹配网络(5)、本振-中频双工的连接结构(6)、本振低通滤波器(7)、第一阻抗匹配网络(8)、二极管芯片及其同轴封装结构(9)、第二阻抗匹配网络(10)和射频端的同轴至波导的过渡结构(11)依次连接；本振-中频双工的连接结构(6)含三个端口，本振端的阻抗匹配网络(2)还连接本振-中频双工的连接结构(6)的第三端口，中频端的接口至同轴的过渡结构(3)用于连接混频器与1mm同轴连接器；二极管芯片及其同轴封装结构(9)用于混频，并采用二极管芯片处的同轴线内导体向上延伸出两个台面的结构，二极管芯片以倒扣的方式贴装到所述台面上。
2.根据权利要求1所述的基于三维金属微加工的超宽带表贴式混频器，其特征在于，本振端的波导至同轴的过渡结构(1)和射频端的同轴至波导的过渡结构(11)的一侧是阻抗为50ω的同轴线，另一侧为标准的波导；本振端的波导至同轴的过渡结构(1)和射频端的同轴至波导的过渡结构(11)均包括一块背腔和一块伸出的矩形探针，背腔用于为波导结构提供短路面，矩形探针用于实现波导和同轴线之间的阻抗匹配和模式匹配，同轴线中的电磁能量传输模式为tem模式，波导中的电磁能量传输模式为te10模式。
3.根据权利要求2所述的基于三维金属微加工的超宽带表贴式混频器，其特征在于，所述矩形探针中间开设一个矩形孔，矩形探针的四条侧边进行倒角。
4.根据权利要求1所述的基于三维金属微加工的超宽带表贴式混频器，其特征在...
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