硅基液晶反射电极的形成方法技术

本发明专利技术提供一种硅基液晶反射电极的形成方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括第一介质层、形成于第一介质层表面的第二介质层、形成于第一介质层内的第一沟槽、第一通孔与第二沟槽，及形成于第二介质层内的第二通孔；于第二介质层的表面形成第三介质层，并对其进行刻蚀以形成第一填充沟槽及第二填充沟槽，其中，第一填充沟槽位于第二通孔的上方，并与第二通孔连通，第二填充沟槽位于第一沟槽的上方，并与第一沟槽连通；于第一填充沟槽及第二填充沟槽内填充金属反射层，并对其进行化学机械研磨。通过本发明专利技术解决了以现有的工艺形成铝反射层时，需在铝反射层下方形成钨通孔，而形成钨通孔会在晶圆边缘产生残留从而导致击穿缺陷产生的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种硅基液晶反射电极的形成方法。

技术介绍

1、lcos(liquid crystal on silicon，硅基液晶)显示器是一种反射型液晶显示器件，其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而投射彩色画面。lcos显示器主要用在投影仪、ar/vr成像设备、光调制器以及波长选择开关中。

2、lcos显示器中形成有铝层作为反射层和电极层，其形成过程如下：

3、如图1所示，提供一半导体结构10，其包括衬底11、形成于衬底11表面的第一介质层12，形成于第一介质层12内的铜沟槽13及位于铜沟槽13上方的钨通孔14，其中，铜沟槽13与钨通孔14连通，且第一介质层12包括底部氧化硅层12a、形成于底部氧化硅层12a表面的ndc层12b及形成于ndc层12b表面的顶部氧化硅层12c，而钨通孔14内还包括第一ti/tin层15；

4、如图1所示，于第一介质层12的表面形成多个间隔设置的金属铝结构20，且金属铝结构20为三明治结构，其由下到上依次形成有第一ti/tin层15、第一铝层21、第二ti/tin层2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，形成所述第一填充沟槽及所述第二填充沟槽的方法包括：

3.根据权利要求2所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层及所述第二掩膜层的材质包括光刻胶。

4.根据权利要求1所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述第一介质层及所述第二介质层均包括NDC层及形成于所述NDC层表面的氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述第三介质层包括所述NDC层及形成于所述...

【技术特征摘要】

1.一种硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，形成所述第一填充沟槽及所述第二填充沟槽的方法包括：

3.根据权利要求2所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层及所述第二掩膜层的材质包括光刻胶。

4.根据权利要求1所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述第一介质层及所述第二介质层均包括ndc层及形成于所述ndc层表面的氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的硅基液晶反射电极的形成方法，其特征在于，所述第三介质层包括所述ndc层及形成于所述ndc层表面的所述氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的硅基液晶反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宏旭，牛忠彩，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：