System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及开关电源,特别涉及一种过温保护电路及开关电源电路。
技术介绍
1、在模块电源一般要求需要过温保护电路和on/off电路。过温保护电路能够防止模块电源温度过高造成损坏,on/off电路提供给外部电路控制模块是否工作。
2、其中,过温保护一般要求大于某个温度就关闭模块,on/off电路一般提供on/off电压范围。现有设计中实现这两个功能通常采用两个电路设计,如控制芯片提供过温引脚,on/off电路通过mos管实现。然而,这种电路设计无法兼容正负逻辑。
3、因此,亟需开发一种新的过温保护电路。
技术实现思路
1、为解决现有技术实现过温保护和on/off电路两个功能通常采用两个电路设计,如控制芯片提供过温引脚,on/off电路通过mos管实现,然而这种电路设计无法兼容正负逻辑的问题。本专利技术提供了一种过温保护电路及开关电源电路。
2、为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个过温保护电路,所述过温保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、二极管组、第一mos管、第二mos管和vdd电源;其中,所述第一mos管的栅极与所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端、所述第一电容的一端、所述二极管组的一端电性连接,所述二极管组的另一端接on/off信号;所述第一mos管的漏极与所述第三电阻的一端、所述第四电阻的一端、所述第二电容的一端、所述第五电阻的一端、所述第二mos管的栅极电性连接;所述第一电阻的另一端和所
3、在其中一个实施例中,所述二极管组包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的负极接on/off信号,所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极电性连接,所述第二二极管的正极与所述第一mos管的栅极电性连接。
4、在其中一个实施例中,所述第一mos管为nmos管;所述第二mos管为nmos管。
5、在其中一个实施例中,所述第一电阻为ptc电阻。
6、在其中一个实施例中,所述第二电阻为ntc电阻。
7、在其中一个实施例中,在正逻辑时,所述第四电阻悬空。
8、在其中一个实施例中,在负逻辑时,所述第三电阻、所述第五电阻、所述第二电容和所述第二mos管均悬空。
9、在其中一个实施例中,所述过温保护电路进一步包括温感电阻,所述温感电阻与所述第一mos管的栅极电性连接。
10、本专利技术为解决上述技术问题还提供了一种开关电源电路,所述开关电源电路包括如上述所述的过温保护电路。
11、本专利技术实施例提供的一种过温保护电路及开关电源电路,具有如下有益效果:
12、1.本专利技术实施例提供的过温保护电路中,过温保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、二极管组、第一mos管、第二mos管和vdd电源,其中,第一mos管的栅极与第一电阻的一端、第二电阻的一端、第一电容的一端、二极管组的一端电性连接,二极管组的另一端接on/off信号,第一mos管的漏极与第三电阻的一端、第四电阻的一端、第二电容的一端、第五电阻的一端、第二mos管的栅极电性连接,第一电阻的另一端和第三电阻的另一端接vdd电源,第一电容的另一端、第二电阻的另一端、第一mos管的源极、第二电容的另一端、第四电阻的另一端和第二mos管的源极接地,第五电阻的另一端和第二mos管的漏极接地。通过实施本专利技术实施例,解决了现有技术中实现过温保护和on/off电路两个功能通常采用两个电路设计,如控制芯片提供过温引脚,on/off电路通过mos管实现,然而这种电路设计无法兼容正负逻辑的问题。本专利技术实施例能够将过温保护和on/off电路集成一个过温保护电路,一来使得过温保护电路的器件更加灵活,二来将on/off电路的电压动作电平灵活调节,同时该过温保护电路还兼容正逻辑和负逻辑,具有极大的实用性。
13、2.本专利技术实施例提供的开关电源电路的作用与上述过温保护电路的作用相同,在此不再赘述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种过温保护电路,其特征在于:所述过温保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、二极管组、第一MOS管、第二MOS管和VDD电源;
2.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:所述二极管组包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的负极接on/off信号,所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极电性连接,所述第二二极管的正极与所述第一MOS管的栅极电性连接。
3.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:所述第一MOS管为NMOS管;所述第二MOS管为NMOS管。
4.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:所述第一电阻为PTC电阻。
5.如权利要求4所述的过温保护电路,其特征在于:所述第二电阻为NTC电阻。
6.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:在正逻辑时,所述第四电阻悬空。
7.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:在负逻辑时,所述第三电阻、所述第五电阻、所述第二电容和所述第二MOS管均悬空。
8.如权利要求7所述的过温保
9.一种开关电源电路,其特征在于:所述开关电源电路包括如权利要求1-8中任一项所述的过温保护电路。
...【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路,其特征在于:所述过温保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、二极管组、第一mos管、第二mos管和vdd电源;
2.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:所述二极管组包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的负极接on/off信号,所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极电性连接,所述第二二极管的正极与所述第一mos管的栅极电性连接。
3.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于:所述第一mos管为nmos管;所述第二mos管为nmos管。
4.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙成国,
申请(专利权)人:深圳达德航空科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。