【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无单晶硅衬底的背接触电池，具体涉及一种无单晶硅衬底的背接触电池及其制备方法和柔性电池组件。
技术介绍
1、目前，硅基背接触电池需要使用到硅片做衬底（即单晶硅衬底），在硅片的正面形成钝化层与减反层，在硅片的背面形成交替的p型半导体层与n型半导体层以及电极。但是，硅片衬底的成本占电池成本的20-40%；且电极一般用银浆等贵金属，成本较高。
2、而现有的硅基薄膜电池结构中，光吸收利用率较低，特别是长波段的光（800-1300nm）几乎会穿过硅基薄膜，且背面是普通银浆金属电极（其设置在半导体开口区内），该整体结构会导致电流密度急剧下降。
3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的硅基背接触电池采用硅片和银浆等贵金属电极而导致成本高，硅基薄膜电池的电池性能低的缺陷，提供一种无单晶硅衬底的背接触电池及其制备方法和柔性电池组件，该背接触电池无...
【技术保护点】
1.一种无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，包括依次设置的镍合金基片、半导体分布层、硅薄膜吸收层，所述半导体分布层包括沿镍合金基片正面的宽度方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，镍合金基片上开设绝缘槽且绝缘槽位于第一半导体层和第二半导体层之间；其中，镍合金基片中铜和铁含量之和不高于10%，镍合金基片在900℃以上形变量不大于1.5mm，镍合金基片的电阻率在10-6 Ω·m以下，镍合金基片与半导体分布层之间的结合力不低于150MPa，半导体分布层与硅薄膜吸收层之间的结合力不低于260MPa，所述硅薄膜吸收层的晶化率在90%以上，所述硅薄膜吸收层的厚度为400-80
<...【技术特征摘要】
1.一种无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，包括依次设置的镍合金基片、半导体分布层、硅薄膜吸收层，所述半导体分布层包括沿镍合金基片正面的宽度方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层，镍合金基片上开设绝缘槽且绝缘槽位于第一半导体层和第二半导体层之间；其中，镍合金基片中铜和铁含量之和不高于10%，镍合金基片在900℃以上形变量不大于1.5mm，镍合金基片的电阻率在10-6 ω·m以下，镍合金基片与半导体分布层之间的结合力不低于150mpa，半导体分布层与硅薄膜吸收层之间的结合力不低于260mpa，所述硅薄膜吸收层的晶化率在90%以上，所述硅薄膜吸收层的厚度为400-8000nm。
2.根据权利要求1所述的无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，所述硅薄膜吸收层在0.1wt%的氢氧化钾水溶液中腐蚀速率小于2.5å/s。
3.根据权利要求1所述的无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，所述硅薄膜吸收层为本征多晶硅或掺杂多晶硅，掺杂多晶硅为n型或p型，其中，所述硅薄膜吸收层为本征多晶硅时的厚度为400-8000nm，所述硅薄膜吸收层为掺杂多晶硅时的厚度为400-4000nm，有效掺杂浓度为1016cm-3-1017cm-3。
4.根据权利要求1所述的无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，所述镍合金基片中含镍和铬以及杂质元素，以镍合金基片的总质量计，镍含量为30%-45%，铬含量为15%-25%，杂质元素含量为30%-55%。
5.根据权利要求1所述的无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，所述镍合金基片的95%以上的面积与半导体分布层接触，和/或，所述镍合金基片的厚度为0.3-1mm。
6.根据权利要求1所述的无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，所述半导体分布层还包括第一钝化层，第一钝化层位于第一半导体层与硅薄膜吸收层之间且延伸至位于第二半导体层与硅薄膜吸收层之间；第一半导体层包括第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包括第二掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层中一个为n型，另一个为p型。
7.根据权利要求6所述的无单晶硅衬底的背接触电池，其特征在于，第一钝化层为隧穿氧化层，第一钝化层的厚度为1-2nm；所述第一掺杂多晶硅层的厚度为40-80nm、宽度为400-800μm、有效掺杂浓度为1019cm-3-1020cm-3，所述第二掺杂多晶硅层的厚度为80-150nm...
【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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