一种SiC肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法技术

本发明专利技术提供了一种SiC肖特基二极管产品背面金属化的工艺方法，SiC晶圆正面贴膜，再对得到的SiC晶圆进行背面抛光，用于去除欧姆接触金属表面自然氧化层；对SiC晶圆进行背面擦片，用于去除抛光工艺过程产生的颗粒；进行DI水清洗，并去除晶圆正面贴膜，对晶圆背面进行电子束蒸发，得到SiC肖特基二极管产品背面金属化层，本发明专利技术通过抛光工艺，有效去除欧姆接触金属表面自然氧化层，解决因形成欧姆接触而导致的TiNiAg三层金属结构的粘附性问题，提高了SiC肖特基二极管产品可靠性，该工艺方法易于理解，不同的工艺人员根据不同的设备及工艺条件进行调整，遵循此方法均可以得到满足工艺要求的结果，适用范围广泛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制作工艺，具体为一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法。

技术介绍

1、sic(碳化硅)肖特基二极管是一种利用碳化硅材料制成的肖特基二极管。肖特基二极管是一种金属-半导体结构的二极管，其工作原理基于肖特基势垒。与传统的pn结二极管相比，肖特基二极管具有更快的开关速度、更低的正向压降和更高的反向击穿电压。sic肖特基二极管在电力电子、汽车电子、航空航天等领域具有广泛的应用前景。例如，在电力电子领域，sic肖特基二极管可用于高效率的电源转换器、逆变器、电动机驱动器等；在汽车电子领域，sic肖特基二极管可用于电动汽车的充电装置、电机控制器等；在航空航天领域，sic肖特基二极管可用于高温、高辐射环境下的电子设备中。在sic肖特基二极管的制造过程中，sic晶圆作为器件的基底材料，sic肖特基二极管是通过在sic晶圆上形成金属与半导体的接触来制造的。sic晶圆的高质量和性能对于制造高性能的sic肖特基二极管至关重要。其质量和性能对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此，sic晶圆的质量和制造技术对于sic肖特基二极管的性能和成本具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，S1中，所述正面贴膜为PVC薄膜基材的表面保护膜。

3.根据权利要求2所述的一种SiC肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，所述表面保护膜的厚度为100μm～150μm。

4.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，S2中，SiC晶圆背面抛光使用1000目～2000目植绒砂纸。

5.根据权利要求1所述的一种SiC肖特基二极管背面金属化处...

【技术特征摘要】

1.一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，s1中，所述正面贴膜为pvc薄膜基材的表面保护膜。

3.根据权利要求2所述的一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，所述表面保护膜的厚度为100μm～150μm。

4.根据权利要求1所述的一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，s2中，sic晶圆背面抛光使用1000目～2000目植绒砂纸。

5.根据权利要求1所述的一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，s2中，sic晶圆背面擦片使用无纺布。

6.根据权利要求1所述的一种sic肖特基二极管背面金属化处理的工艺方法，其特征在于，所述无纺布由添加量为55％纤维素和45...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐易晨，尚春林，乔楠，晏强，张文鹏，胡长青，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：