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本发明提供了一种SiC肖特基二极管产品背面金属化的工艺方法，SiC晶圆正面贴膜，再对得到的SiC晶圆进行背面抛光，用于去除欧姆接触金属表面自然氧化层；对SiC晶圆进行背面擦片，用于去除抛光工艺过程产生的颗粒；进行DI水清洗，并去除晶圆正面贴...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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