一种背接触电池的制备方法及背接触电池技术

本发明专利技术属于背接触太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触电池的制备方法及背接触电池，制备方法包括：硅片背面依次沉积隧穿氧化硅层、本征多晶硅层和掺磷多晶硅层，本征多晶硅层的厚度与掺磷多晶硅层的厚度的比值为0.0625~1，掺磷多晶硅层的有效掺杂浓度为1e19cm<supgt;‑3</supgt;~1e20cm<supgt;‑3</supgt;，掺磷多晶硅层的面掺杂指数为1.25e16~1e19，面掺杂指数为有效掺杂浓度与厚度的比值；通氧退火，得到掩膜层；在背面进行刻蚀开口，刻蚀掉开口区内的掩膜层和第一半导体层，形成第二半导体开口区；清洗去除背面的位于第二半导体开口区以外的掩膜层。本发明专利技术的方法能显著提高膜层的钝化效果和多晶硅层的导电性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于背接触太阳能电池，具体地，涉及一种背接触电池的制备方法及背接触电池。

技术介绍

1、目前，背接触异质结太阳能电池的制备方法一般包括在硅片背面形成第一半导体层，在第一半导体层上沉积掩膜层，刻蚀开口形成第二半导体开口区并进行制绒清洗，之后去除掩膜层后，制备第二半导体层，刻蚀开口形成与第二半导体开口区交替排列的第一半导体开口区，沉积导电膜，制备电极。

2、氮化硅/氧化硅复合层已经被作为掩膜层，然而，pecvd等方法制备的氮化硅/氧化硅复合层中孔洞等缺陷较多，制绒清洗时容易损伤底层多晶硅，影响膜层钝化和导电性，同时高温退火后的氮化硅极难腐蚀，且氮化硅掩膜层无法与多晶硅集成一起生长。

3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术中氮化硅/氧化硅复合层作为掩膜层，掩膜层中缺陷多，影响膜层钝化和导电性，掩膜层难去除的缺陷，提供一种背接触电池的制备方法及背接触电池，掩膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中，所述本征多晶硅层的厚度为50nm~100nm，所述掺磷多晶硅层的厚度为100nm~800nm，所述隧穿氧化硅层的厚度为1nm~2nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中，所述本征多晶硅层的沉积条件包括：通入包括硅烷和氢气的气体进行沉积，沉积温度为400℃~450℃，沉积压力为100mtorr~2000mtorr，沉积时间为300s~900s；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中，所述隧穿氧化硅层的沉积条件...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s1中，所述本征多晶硅层的厚度为50nm~100nm，所述掺磷多晶硅层的厚度为100nm~800nm，所述隧穿氧化硅层的厚度为1nm~2nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s1中，所述本征多晶硅层的沉积条件包括：通入包括硅烷和氢气的气体进行沉积，沉积温度为400℃~450℃，沉积压力为100mtorr~2000mtorr，沉积时间为300s~900s；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s1中，所述隧穿氧化硅层的沉积条件包括：通入包括笑气的气体进行沉积，沉积温度为400℃~450℃，沉积压力为100mtorr~2000mtorr，沉积时间为10s~60s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤s2和s3之间，在硅片正面依次形成第三半导体层和减反层，所述第三半导体层的形成包括沉积氧化硅层、三氧化二铝层、氧化硅与n型多晶硅的组合层中的任一种，所述减反层的组成包...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：