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本发明属于背接触太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触电池的制备方法及背接触电池，制备方法包括：硅片背面依次沉积隧穿氧化硅层、本征多晶硅层和掺磷多晶硅层，本征多晶硅层的厚度与掺磷多晶硅层的厚度的比值为0.0625~1，掺磷多晶硅层的有效掺杂...
该专利属于金阳（泉州）新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过金阳（泉州）新能源科技有限公司授权不得商用。

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