电子设备及其制造方法技术

本发明专利技术公开了电子设备及其制造方法，其中，该电子设备包括：基板；多个薄膜晶体管，在从基板的一个主面观看时的平面图上，至少沿一个方向线状设置；多个薄膜晶体管中的每个均包括：在基板上的预加热层、在预加热层上的绝缘层以及薄膜半导体层，薄膜半导体层的一部分通过绝缘层与预加热层重叠，其中，预加热层除与薄膜半导体层重叠的部分之外的部分具有平面形状，该平面形状相对于与这个方向垂直相交的方向延伸的轴线对称。通过本发明专利技术，当通过使用激光束照射等执行热源扫描时，即使用了热源的低能量也能够充分地加热半导体薄膜，并且在热源扫描的向外路线和返回路线之间不会导致任何特性分散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有薄膜晶体管的电子设备(例如显示设备或者集成电路设备)。此外，本专利技术涉及包括通过执行激光束扫描对薄膜晶体管的薄膜半导体层进行退火的步骤的电子设备制造方法。
技术介绍
诸如液晶显示设备或者有机EL (电致发光)设备的显示设备被称为具有薄膜晶体管(TFT)的电子设备。薄膜晶体管(下文中称作"TFT")用作将与图像信号对应的电压施加给液晶显示i殳备中的液晶层的开关元件。另外，TFT也用作控制流过有机EL显示设备中每个像素设置的自发光元件的电流量的驱动晶体管。在有机EL显示设备的每个像素中，除驱动晶体管之外，需要开关元件以用于电流路径的切断控制、图像信号的采样等。TFT也用作开关元件。TFT具有在通过由采用与用于半导体集成电路相同的技术在显示设备的面基板上层压薄膜而获得的层压结构内由多晶硅、单晶6硅等制成的薄膜半导体层。在薄膜半导体层中形成源极/漏极区，并且通过栅极绝缘膜将栅电极设置为接近薄膜半导体层的上表面或者下表面。通常，在低温多晶硅TFT中，在用于使非晶硅(薄膜半导体层的形成膜)结晶以4吏非晶石圭变成多晶石圭(polysilicon )的退火处理中采用Exima激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括：　基板；以及　多个薄膜晶体管，在从所述基板的一个主面观看时的平面图上，至少沿一个方向线状设置；　所述多个薄膜晶体管中的每个均包括：　在所述基板上的预加热层，　在所述预加热层上的绝缘层，以及　 　薄膜半导体层，其一部分通过所述绝缘层与所述预加热层重叠，　其中，所述预加热层除与所述薄膜半导体层重叠的部分之外的部分具有平面形状，所述平面形状相对于在与所述一个方向垂直相交的方向延伸的轴而线对称。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本哲郎，内野胜秀，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]