【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总地上涉及一种氮化物基半导体装置。更具体地，本专利技术涉及一种具有gan通孔(tgv)结构的氮化物基半导体装置。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究十分活跃，尤其是在大功率开关和高频率应用方面。三族氮化物基hemt利用两种具有不同带隙的材料之间的异质结界面形成类似量子阱的结构，该结构容纳二维电子气体(2deg)区域，从而满足高功率/高频率装置的需求。除了hemt之外，具有异质结构的装置还包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供一种半导体装置。该半导体装置包括衬底、第一氮化物基半导体多层结构、第二氮化物基半导体多层结构、第一导电层和第二导电层。衬底具有装置区域和包围装置区域的外围区域。第一氮化物基半导体多层结构设置在衬底上方。第一氮化物基半导体多层结构覆盖装置区域并在外围区域中具有边缘。第二氮化物基半导体多层结构设置在衬底上方和外围区域内。第一氮化物基半导体多层结构与第二氮化物基半导体多层结构分离。第一导电层设置在第一氮化物基半导体多层结构上方并从装置区域延伸到外围区域。第一导电层包括填充到第一氮化物基半导体多层结构和第二氮化物基半导体多层结构之间的区域中的第一部分。第二导电层设置在第二氮化物基半导体多层结构和第一导电层之间并电联接到第一导电层。
2、根据本公开的一方面，提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括以下步骤。在衬底上方形成氮化
3、根据本公开的一方面，提供一种半导体装置。该半导体装置包括衬底、氮化物基半导体多层结构、第一gan通孔(tgv)结构和导电结构。衬底具有装置区域和包围装置区域的外围区域。氮化物基半导体多层结构设置在衬底上方并覆盖装置区域和外围区域。第一gan通孔(tgv)结构穿透氮化物基半导体多层结构以在外围区域与衬底接触。导电结构设置在氮化物基半导体多层结构上方，并且位于衬底的外围区域内并位于装置区域外。第一tgv结构位于装置区域和导电结构之间。
4、基于以上所述，在本公开的实施例中，位于两个氮化物基半导体多层结构之间的第一导电层的一部分填充其间的区域，这样的配置可以防止在切割工艺中可能产生的裂纹。此外，第一导电层的一部分设置在装置区域中，位于外围区域中的第二导电层电连接到第一导电层。因此，第一导电层和第二导电层可以将切割工艺中产生的静电传导到地。因此，半导体装置可以具有良好的可靠性和良好的电气性能。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层的第一部分与所述衬底接触。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，沿所述衬底的法线方向观察的所述第一导电层的第一部分呈闭合环形。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层沿所述第一介电结构和所述第一氮化物基半导体多层结构的倾斜侧壁延伸。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二导电层设置在所述第二介电结构中。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层沿所述第二介电结构和所述第二氮化物基半导体多层结构的第一倾斜侧壁延伸。
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层沿所述第二介电结构和所述第二氮化物基半导体多层结构的第二倾斜侧壁延伸，其中所述第二倾斜侧壁与所述第一倾斜侧壁
10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层进一步包括与所述衬底接触的第二部分，其中所述第二氮化物基半导体多层结构位于所述第一导电层的第一部分和第二部分之间。
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层完全填充到所述第一氮化物基半导体多层结构和所述第二氮化物基半导体多层结构之间的区域中。
14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层的第一部分为GaN通孔(TGV)结构。
15.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层延伸跨过所述第二氮化物基半导体多层结构。
16.一种制造半导体装置的方法，包括：
17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，执行形成所述导电层，使得形成与所述衬底的第一部分接触的GaN通孔(TGV)结构。
18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体装置形成在晶片上，并且所述方法进一步包括：
19.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：
20.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述导电层形成为延伸跨过所述导电结构以覆盖所述衬底的第二部分。
21.一种半导体装置，包括：
22.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，沿所述衬底的法线方向观察的所述第一TGV结构呈闭合环形。
23.根据前述权利要求的任一项所述的半导体装置，进一步包括：
24.根据前述权利要求的任一项所述的半导体装置，进一步包括：
25.根据前述权利要求的任一项所述的半导体装置，其中，所述导电层在所述导电结构上方延伸跨过。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层的第一部分与所述衬底接触。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，沿所述衬底的法线方向观察的所述第一导电层的第一部分呈闭合环形。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层沿所述第一介电结构和所述第一氮化物基半导体多层结构的倾斜侧壁延伸。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二导电层设置在所述第二介电结构中。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层沿所述第二介电结构和所述第二氮化物基半导体多层结构的第一倾斜侧壁延伸。
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层沿所述第二介电结构和所述第二氮化物基半导体多层结构的第二倾斜侧壁延伸，其中所述第二倾斜侧壁与所述第一倾斜侧壁相对。
10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一导电层进一步包括与所述衬底接触的第二部分，其中所述第二氮化物基半导体多层结构位于所述第一导电层的第一部分和第二部分之间。
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步包括：
12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，进一步...
【专利技术属性】
技术研发人员：严慧，李思超，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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