一种利用化学气相沉积法制备带隙连续可调的三元合金结构半导体的方法技术

技术编号:41210411 阅读:19 留言:0更新日期:2024-05-09 23:32
本发明专利技术涉及一种利用化学气相沉积法制备带隙连续可调的三元合金结构半导体的方法,涉及单晶合成技术领域。该方法具体包括以下步骤:在保护性气氛下,以二氧化硅为基体,以过渡金属氧化物为钼源或钨源,以硒为硒源,以硫为硫源,利用化学气相沉积法制备三元合金结构半导体;在化学气相沉积法制备过程中,所述过渡金属氧化物先后和硒、硫同步进行加热沉积,且待硒沉积完成后进行硫的加热沉积;其中,基体个数为1个,过渡金属氧化物为三氧化钼或三氧化钨。本发明专利技术提供了一种在同一基底表面制备带隙连续可调的单层过渡金属化合物三元合金结构半导体的方法,该方法步骤简单,制备出的合金结构形貌完整,表面质量高,结构稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶合成,特别是涉及一种利用化学气相沉积法制备带隙连续可调的三元合金结构半导体的方法


技术介绍

1、现如今不同带隙的多元合金半导体已被广泛应用在块状半导体带隙工程中,在纳米电子学以及纳米光子学领域,实现带隙连续可调谐的半导体纳米结构是非常重要的。目前多维三元半导体结构的带隙和发光可通过改变材料的化学成分来逐渐调整,三元合金化合物的结构和光学研究表明,其材料质量好,结构稳定,并可表现出与材料成分相关的荧光峰,未来可以应用在功能性电子器件和光电器件领域。

2、现有文献报道了通过气相沉积温度梯度分布合成了在硅片上化学计量连续变化的mos2(1-x)se2x,即生长衬底上的温度连续变化,导致在不同位置上生长出的mos2(1-x)se2x纳米片的化学成分和带隙不同,这种方法可以获得波长范围从668nm至795nm的mos2(1-x)se2x,但每种波长的mos2(1-x)se2x只能在一片硅片衬底上,若需要不同波长的材料需要重复制备,步骤繁琐。另外,现有技术还通过水热法制备了mos2(1-x)se2x,但该种方法制备出的mos2(1-x)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于化学气相沉积法在同一基体上制备带隙连续可调的三元合金结构半导体的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述过渡金属氧化物的加热沉积温度为850-900℃,所述硒的加热沉积温度为200-300℃,所述硫的加热沉积温度为150-200℃。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硫、硒和过渡金属氧化物的质量比为5-15:25:1。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,化学气相沉积法制备过程中的压力为90000Pa-110000Pa。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用管式...

【技术特征摘要】

1.一种基于化学气相沉积法在同一基体上制备带隙连续可调的三元合金结构半导体的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述过渡金属氧化物的加热沉积温度为850-900℃,所述硒的加热沉积温度为200-300℃,所述硫的加热沉积温度为150-200℃。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硫...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖风黄海东谢青青曾雨涵
申请(专利权)人:安徽师范大学
类型:发明
国别省市:

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