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本发明涉及一种利用化学气相沉积法制备带隙连续可调的三元合金结构半导体的方法，涉及单晶合成技术领域。该方法具体包括以下步骤：在保护性气氛下，以二氧化硅为基体，以过渡金属氧化物为钼源或钨源，以硒为硒源，以硫为硫源，利用化学气相沉积法制备三元合金...
该专利属于安徽师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽师范大学授权不得商用。

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