【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学检测，尤其涉及一种单光子雪崩二极管。
技术介绍
1、单光子雪崩二极管（single photon avalanche diode)又称为spad，是一种工作在盖革模式(工作电压大于击穿电压)下的雪崩光电二极管。因其具有探测效率高、功耗低、响应速度快等优点，在光谱学、量子通信与三维成像等方面都得到广泛应用。spad工作原理是在盖革模式下，当spad 吸收光子时，在雪崩区产生电子-空穴对，并在强电场作用下发生雪崩倍增效应，形成雪崩电流。
2、硅制造技术为 spad 的集成提供了一个成熟的加工平台。但硅在近红外波段的吸收率偏低，为了优化光子探测效率 (photon detection efficiency，pde)，现有技术中的spad通常通过加厚吸收区域来增加吸收率以提高pde，但是这会导致高工作电压、高过偏压以及对制造过程中产生的缺陷更加敏感；或是通过曲面结spad来提高pde，但是曲面结spad的雪崩触发区域为一近似半球型的曲面结构，这导致了该结构下电子进入雪崩区域的位置不同，对应的雪崩触发概率会发生比较大...
【技术保护点】
1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述锥型凹槽为圆锥形凹槽或金字塔形凹槽。
3.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度小于所述埋层的掺杂浓度，所述埋层的掺杂浓度小于所述阱层的掺杂浓度。
4.如权利要求3所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层外包裹有一层导流层，所述导流层的材质与所述外延层的材质相同，且所述导流层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
5.如权利要求4所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述导流层的外周还包裹...
【技术特征摘要】
1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述锥型凹槽为圆锥形凹槽或金字塔形凹槽。
3.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度小于所述埋层的掺杂浓度，所述埋层的掺杂浓度小于所述阱层的掺杂浓度。
4.如权利要求3所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层外包裹有一层导流层，所述导流层的材质与所述外延层的材质相同，且所述导流层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
5.如权利要求4所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述导流层的外周还包裹有一层金属深沟道隔离层。
6.如权利要求5所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述金属深沟道隔离层包括一层al2o3层以...
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