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单光子雪崩二极管制造技术
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文档序号:41209114
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本发明涉及光学检测技术领域,尤其涉及一种单光子雪崩二极管,单光子雪崩二极管包括外延层,外延层顶部有埋层以及环绕于埋层外的阱层,阱层朝向埋层的内侧设置有保护环,埋层开设有尖头朝下的锥型凹槽,在锥型凹槽的周向外设置有包裹锥型凹槽的掺杂区;外延层...
该专利属于季华实验室所有,仅供学习研究参考,未经过季华实验室授权不得商用。
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