【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种模型建立方法、装置、电子设备和计算机存储介质。
技术介绍
1、电路仿真是指使用数学模型对电路的真实行为进行模拟的工程方法。仿真系统可以对电路的功能行为进行模拟，而不需要建立实际的电路。在构建实际电路之前，对设计进行仿真验证，可以大大提高设计效率，其中最著名的模拟仿真是通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis，spice)。spice是一种用于电路描述与仿真的语言与仿真器软件，用于检测电路的连接和功能的完整性，以及用于预测电路的行为，是目前器件设计行业中应用最为普遍的电路级模拟程序。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种模型建立方法、装置、电子设备和计算机存储介质，能够提高电路仿真中的模型器件的精度，减少因实际的电路操作造成的仿真差异，并提高电路仿真的可靠度和精准度。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种模型建立方法，所述方法包括：
3、基于目标器件，建立包括第一类参数的第一初始模型；其中，所述第一类参数指示目标器件的本征特性参数；
4、获取第一数据集，基于所述第一初始模型对所述第一数据集进行拟合处理，得到中间器件模型；
5、基于包含所述目标器件的目标电路，在所述中间器件模型的基础上添加第二类参数，形成第二初始模型；其中，所述第二类参数指示所述目标电路中的接触特性参数，所述接触特性参数至少包括接触电阻；
6、获
7、在一些实施例中，所述目标器件为第一晶体管，所述目标电路应用于存储器的存储阵列，所述目标电路包括位线、第一电容和所述第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与位线连接，所述第一晶体管的第二端与第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
8、所述目标电路用于存储数据，所述第一动作是向存储有第二值的所述目标电路中写入第一值；所述第二动作是向存储有第一值的所述目标电路中写入第二值。
9、在一些实施例中，所述中间器件模型指示所述第一晶体管的漏极电压、栅极电压、衬底电压和漏电流的本征关系；
10、所述目标器件模型指示所述第一晶体管的目标电流随目标电压的变化关系，所述目标电流是指所述第一电容的第一端的电流，所述目标电压是指所述第一电容的第一端的电压。
11、在一些实施例中，所述第二数据集包括多个第一子集；所述获取第二数据集和第三数据集，至少包括：
12、控制所述目标电路处于目标工艺角参数，向存储有第二值的所述目标电路中写入第一值；以及在向所述目标电路写入第一值的过程中，采集同一时刻下的所述目标电压和所述目标电流，形成一个所述第一子集中的一对数据，直至获得所述第一子集。
13、在一些实施例中，所述第三数据集包括多个第二子集；所述获取第二数据集和第三数据集，还包括：
14、控制所述目标电路处于目标工艺角参数，向存储有第一值的所述目标电路中写入第二值；以及在向所述目标电路写入第二值的过程中，采集同一时刻下的所述目标电压和所述目标电流，形成一个所述第二子集中的一对数据，直至获得所述第二子集。
15、在一些实施例中，所述方法还包括：
16、所述目标工艺角参数为tt、ff、ss、ft或st，不同的所述目标工艺角参数对应的所述目标器件模型不同。
17、在一些实施例中，所述第二类参数至少包括第一阻值和第二阻值，所述第一阻值指示所述位线和所述第一晶体管之间的接触电阻，所述第二阻值指示所述第一晶体管和所述第一电容之间的接触电阻。
18、在一些实施例中，所述第一阻值＝(第一系数×所述目标电压)+第一常数；
19、所述基于所述第二初始模型对所述第二数据集和所述第三数据集进行拟合处理，得到目标器件模型，至少包括：
20、基于所述第二初始模型对所述第二数据集和所述第三数据集进行拟合处理，确定所述第一系数的取值和所述第一常数的取值。
21、在一些实施例中，所述第二阻值＝(第二系数×所述目标电压)+第二常数；
22、所述基于所述第二初始模型对所述第二数据集和所述第三数据集进行拟合处理，得到目标器件模型，还包括：
23、基于所述第二初始模型对所述第二数据集和所述第三数据集进行拟合处理，确定所述第二系数的取值和所述第二常数的取值。
24、在一些实施例中，所述第一数据集包括多个第三子集、多个第四子集和多个第五子集；所述获取第一数据集，包括：
25、在所述第一晶体管的漏极电压为目标值的情况下，控制所述目标器件处于目标衬底电压，对所述目标器件进行性能测试；以及在对所述目标器件进行性能测试的过程中，采集同一时刻下的栅极电压和漏电流，形成一个所述第三子集中的一对数据，直至获得所述第三子集；调整所述目标衬底电压的取值，返回执行所述控制所述目标器件处于目标衬底电压，对所述目标器件进行性能测试的步骤，直至获得多个所述第三子集；
26、在所述第一晶体管处于第一衬底电压的情况下，控制所述目标器件处于目标栅极电压，对所述目标器件进行性能测试；以及在对所述目标器件进行性能测试的过程中，采集同一时刻下的漏极电压和漏电流，形成一个所述第四子集中的一对数据，直至获得所述第四子集；调整所述目标栅极电压的取值，返回执行所述控制所述目标器件处于目标栅极电压，对所述目标器件进行性能测试的步骤，直至获得多个所述第四子集；
27、在所述第一晶体管处于第二衬底电压的情况下，控制所述目标器件处于目标栅极电压，对所述目标器件进行性能测试；以及在对所述目标器件进行性能测试的过程中，采集同一时刻下的漏极电压和漏电流，形成一个所述第五子集中的一对数据，直至获得所述第五子集；调整所述目标栅极电压的取值，返回执行所述控制所述目标器件处于目标栅极电压，对所述目标器件进行性能测试的步骤，直至获得多个所述第五子集。
28、在一些实施例中，所述第一值和第二值分别为0和1中的任意一个数值，且所述第一值和第二值不相同。
29、在一些实施例中，所述方法还包括：
30、对所述中间器件模型进行仿真测试，基于仿真测试结果和所述目标器件的实测结果对所述中间器件模型进行调整；
31、对所述目标器件模型进行仿真测试，基于仿真测试结果和所述目标电路的实测结果对所述目标器件模型进行调整；
32、分别根据所述中间器件模型和所述目标器件模型仿真的数据与所述目标晶体管的实测数据进行对比，根据比对情况分别进行所述中间器件模型和所述目标器件模型的修正。
33、第二方面，本公开实施例提供了一种模型建立本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种模型建立方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标器件为第一晶体管，所述目标电路应用于存储器的存储阵列，所述目标电路包括位线、第一电容和所述第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与位线连接，所述第一晶体管的第二端与第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二数据集包括多个第一子集；所述获取第二数据集和第三数据集，至少包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三数据集包括多个第二子集；所述获取第二数据集和第三数据集，还包括：
6.根据权利要求4-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求3-5任一项所述的方法，其特征在于，所述第二类参数至少包括第一阻值和第二阻值，所述第一阻值指示所述位线和所述第一晶体管之间的接触电阻，所述第二阻值指示所述第一晶体管和所述第一电容之间的接触电阻。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二阻值＝(第二系数×所述目标电压)+第二常数；
10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一数据集包括多个第三子集、多个第四子集和多个第五子集；所述获取第一数据集，包括：
11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
13.一种模型建立装置，其特征在于，所述模型建立装置包括建立单元、拟合单元和添加单元；其中：
14.根据权利要求13所述的模型建立装置，其特征在于，所述目标器件为第一晶体管，所述目标电路应用于存储器的存储阵列，所述目标电路包括位线、第一电容和所述第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与位线连接，所述第一晶体管的第二端与第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
15.根据权利要求14所述的模型建立装置，其特征在于，所述第二类参数至少包括第一阻值和第二阻值，所述第一阻值指示所述位线和所述第一晶体管之间的接触电阻，所述第二阻值指示所述第一晶体管和所述第一电容之间的接触电阻。
16.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器和处理器，其中：
17.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被至少一个处理器执行时实现如权利要求1至12任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种模型建立方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标器件为第一晶体管，所述目标电路应用于存储器的存储阵列，所述目标电路包括位线、第一电容和所述第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与位线连接，所述第一晶体管的第二端与第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二数据集包括多个第一子集；所述获取第二数据集和第三数据集，至少包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三数据集包括多个第二子集；所述获取第二数据集和第三数据集，还包括：
6.根据权利要求4-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求3-5任一项所述的方法，其特征在于，所述第二类参数至少包括第一阻值和第二阻值，所述第一阻值指示所述位线和所述第一晶体管之间的接触电阻，所述第二阻值指示所述第一晶体管和所述第一电容之间的接触电阻。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻值＝(第一系数×所述目标电压)+第一常数；
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二阻值＝(第二系数×所述目标电压)+第...
【专利技术属性】
技术研发人员：林仕杰，钱仕兵，赵青云，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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