用于产生线性结构光图案和泛光照明的VCSEL芯片制造技术

一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片包括结构光(SL)VCSEL阵列和填充VCSEL阵列。SL VCSEL阵列包括位于衬底上的多个第一VCSEL。填充VCSEL阵列包括位于衬底上的多个第二VCSEL。填充VCSEL阵列被定位成与衬底上的SL VCSEL阵列正交。从SL VCSEL阵列发射的光可以用于形成条图案，并且来自SL VCSEL阵列和填充VCSEL阵列一起的光可以用于形成泛光照明。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开总体上涉及垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emittinglaser，vcsel)阵列，更具体地，涉及用于产生线性结构光图案和泛光照明的vcsel芯片。

技术介绍

1、深度感测系统确定描述局部区域的深度信息。传统的深度感测系统、尤其是具有小形状要素(例如，头戴式)的深度感测系统，通常能够投射结构光图案或泛光照明，但不能同时投射这两者。

2、本公开寻求旨在解决上述缺陷和缺点中的至少部分缺陷和缺点、任何缺陷和缺点或全部缺陷和缺点。

技术实现思路

1、深度摄像头组件(depth camera assembly，dca)可以确定局部区域的深度信息。dca可以包括至少一个摄像头和至少一个照明器。该照明器可以包括vcsel芯片。vcsel芯片可以产生一个或多个线性结构光(sl)图案或泛光照明。一个或多个sl图案可以用于例如用sl条图案照亮局部区域，或选择性地照亮局部区域的一个或多个部分。泛光照明可以照亮全部的局部区域。dca的一个或多个摄像头可以采集被照亮的局部区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片，所述VCSEL芯片包括：

2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其中，所述多个第一VCSEL中的每一个在第一长度上具有各自的发射区，所述VCSEL芯片还包括：

3.根据权利要求1或2所述的VCSEL芯片，其中，所述第二线性发射源中的每一个具有椭圆形发射区域。

4.根据前述权利要求中任一项所述的VCSEL芯片，其中，所述多个第二VCSEL的两个相邻发射区由间隙隔开，并且所述第一VCSEL阵列的第一VCSEL沿着平分所述间隙的线定位。

5.根据前述权利要求中任一项所述的VCSEL芯片，其中，所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种垂直腔面发射激光器(vcsel)芯片，所述vcsel芯片包括：

2.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一vcsel中的每一个在第一长度上具有各自的发射区，所述vcsel芯片还包括：

3.根据权利要求1或2所述的vcsel芯片，其中，所述第二线性发射源中的每一个具有椭圆形发射区域。

4.根据前述权利要求中任一项所述的vcsel芯片，其中，所述多个第二vcsel的两个相邻发射区由间隙隔开，并且所述第一vcsel阵列的第一vcsel沿着平分所述间隙的线定位。

5.根据前述权利要求中任一项所述的vcsel芯片，其中，所述第一vcsel阵列被布置为多个平行条带源，并且所述多个条带源中的每一个包括多个第一vcsel；并且优选地，其中，所述多个条带源中的每一个是能够寻址的，并且其中，来自所述多个条带源中的各个的光对应于所述条图案中的不同条。

6.根据权利要求5所述的vcsel芯片，其中，所述多个平行条带源的相邻条带源由相应的间隙隔开，并且对于每个间隙，存在对应的第二vcsel，所述第二vcsel的发射区沿着平行于所述相邻条带源并穿过所述间隙的中心的线定位；并且优选地，其中，所述第二vcsel阵列被布置成形成能够寻址的单个条带源，并且其中，来自所述单个条带源的光填充所述条图案中的各条之间的暗区以形成所述泛光照明。

7.根据前述权利要求中任一项所述的vcsel芯片，其中，来自所述第一vcsel阵列的光被柱面透镜折射以形成所述条图案，并且来自所述第一vcsel阵列和所述第二vcsel阵列的光被所述柱面透镜折射以形成所述泛光照明。

8.根据前述...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿伦·库马尔·纳拉尼·查克拉瓦图拉，本杰明·尼古拉斯·琼斯，乔纳坦·金兹伯格，李军，劳伦斯·昌勇·王，
申请(专利权)人：元平台技术有限公司，
类型：发明
国别省市：