一种简易双向电平转换电路制造技术

本技术提供了一种简易双向电平转换电路，包括高压电平电路和低压电平电路，在两条电平电路之间设置一个二极管、一个MOSFET和两个电阻，所述MOSFET的漏极与二极管的阴极、高压电平电路的信号端和第一电阻的一端并接在一起，第一电阻的另一端接高压电压；MOSFET的栅极接低压电压，MOSFET的源极与二极管的阳极、低压电平电路的信号端和第二电阻的一端并接在一起，电阻的另一端接低压电压，所述转换电路，MOSFET作为开关应用，利用两个电阻和一个MOSFET实现高压电平和低压电平的双向转换，操控简单，满足不同的电压系统下数据通信对电平转换的需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电平转换，尤其是一种简易双向电平转换电路。

技术介绍

1、电子系统有不同的高低电平信号，比较典型的是5v和3.3v电平电路，两种系统数据通信需要电平转换。现有技术中，通常应用专用电平转换i c，尚未发现其他方法实现电平转换。因此，设计一种简易双向电平转换电路以满足不同的电压系统下数据通信对电平转换的需求具有重要的应用价值。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题在于提供一种简易双向电平转换电路。

2、为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：

3、一种简易双向电平转换电路，包括高压电平电路和低压电平电路，在两条电平电路之间设置一个二极管(d1)、一个mosfet(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和两个电阻，所述mosfet(q1)的漏极(d)与二极管(d1)的阴极、高压电平电路的信号端和第一电阻(r1)的一端并接在一起，第一电阻(r1)的另一端接高压电压；mosfet(q1)的栅极(g)接低压电压，mosfet(q1)的源极(s)与二极管(d1)的阳极、低压电平电路的信号端和第二电阻(r2)的一端并接在一起，电阻(r2)的另一端接低压电压。

4、优选的，上述简易双向电平转换电路，所述高压电平电路为5v电平电路，高压电压为5v电压。

5、优选的，上述简易双向电平转换电路，所述低压电平电路为3.3v电平电路，低压电压为3.3v电压。

6、有益效果：

7、所述简易双向电平转换电路，mosfet作为开关应用，利用两个电阻和一个mosfet实现高压电平和低压电平的双向转换，高压电平电路向低压电平电路发送数据时，通过mosfet的体二极管实现高压转低压的电平转换；当低压电平电路向高压电平电路发送数据时，通过mosfet的开关实现低压转高压的电平转换，操控简单，满足不同的电压系统下数据通信对电平转换的需求。

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【技术保护点】

1.一种简易双向电平转换电路，其特征在于：包括高压电平电路和低压电平电路，在两条电平电路之间设置一个二极管(D1)、一个MOSFET和两个电阻，所述MOSFET(Q1)的漏极(D)与二极管(D1)的阴极、高压电平电路的信号端和第一电阻(R1)的一端并接在一起，第一电阻(R1)的另一端接高压电压；MOSFET(Q1)的栅极(G)接低压电压，MOSFET(Q1)的源极(S)与二极管(D1)的阳极、低压电平电路的信号端和第二电阻(R2)的一端并接在一起，第二电阻(R2)的另一端接低压电压。

2.根据权利要求1所述的简易双向电平转换电路，其特征在于：所述高压电平电路为5V电平电路，高压电压为5V电压。

3.根据权利要求1所述的简易双向电平转换电路，其特征在于：所述低压电平电路为3.3V电平电路，低压电压为3.3V电压。

【技术特征摘要】

1.一种简易双向电平转换电路，其特征在于：包括高压电平电路和低压电平电路，在两条电平电路之间设置一个二极管(d1)、一个mosfet和两个电阻，所述mosfet(q1)的漏极(d)与二极管(d1)的阴极、高压电平电路的信号端和第一电阻(r1)的一端并接在一起，第一电阻(r1)的另一端接高压电压；mosfet(q1)的栅极(g)接低压电压，mosfet(q1)的源极(s)...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓哲，熊林勇，孙博，
申请(专利权)人：天津蓝天特种电源科技股份公司，
类型：新型
国别省市：