【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光芯片，尤其涉及一种倒装芯片及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、在led(light-emitting diode，发光二极管)芯片中，光线从多量子阱层中被激发出来以后将会向着外延层外部出射：部分光线能够直接射至外延层之外，但还有部分光线将会在外延层与其他介质的临界面处发生反射，从而再次射回外延层内。这些被反射回来的光线可能会在经历一次或多次反射后射出外延层，也有可能被外延层中的多量子阱层吸收，最终也无法出光。多量子阱层对光线的吸收会导致外延层出光效率下降，影响led芯片的外量子效率，而且，多量子阱层吸收光线后会导致温度上升影响其性能，进而导致led芯片的内量子效率下降，进一步影响led芯片的出光效率。
2、因此，如何减少多量子阱层对光线的吸收，提升led芯片的出光效率是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种倒装芯片及其制备方法、显示面板，旨在解决因多量子阱层吸收光线，导致芯片出光效率不高的问题。
2、本申请首先提供一种倒装芯片，包括：
3、外延层，外延层具有依次层叠设置的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层；
4、与第一半导体层电连接且位于第一半导体层远离多量子阱层一侧的第一电极；以及
5、与第二半导体层电连接且位于第二半导体层朝向多量子阱层一侧的第二电极；
6、其中，外延层设有电极的一表面为电极设置面，电极设置面电极设置面包括被配置为
7、上述倒装芯片，因为在外延层的第一电极设置台面上设置了多个导光凹槽，导光凹槽的槽壁为反光面，其能够将外延层内部射向反光面的光线朝着外延层的侧面反射，使得这部分光线的反射路径可以不经过多量子阱层，进而减少多量子阱层对于光线的吸收，提升倒装芯片的出光效率；同时，减少多量子阱层对光线的吸收也能减少多量子阱层的产热，避免多量子阱层的性能受到影响，有利于维护倒装芯片的内量子效率。所以，本申请提供的倒装芯片通过导光凹槽的导光作用，将射向第一电极设置台面的光线朝着外延层侧面引导，降低光线经过多量子阱层的概率，提升了倒装芯片的出光效率，增强了倒装芯片的品质。
8、可选地，倒装芯片还包括：
9、反射层，反射层包覆外延层的侧面。
10、上述倒装芯片中还设置有包覆外延层侧面的反射层，这样可以减少甚至杜绝光线从外延层的侧面射出，促使光线更多地从与电极设置面相对的主出光面射出，进而提升倒装芯片主出光面的出光效率，实现倒装芯片的聚集性出光。
11、可选地，反射层还覆盖电极设置面，第一电极与第二电极各自的至少部分区域外露于反射层。
12、上述倒装芯片中，反射层不仅包覆外延层的侧面，同时还会覆盖外延层的电极设置面，这样可以进一步促使光线从倒装芯片的主出光面射出，增加主出光面的出光率。
13、可选地，倒装芯片还包括：
14、反射镜，反射镜贴合外延层的电极设置面设置，其被配置为使导光凹槽的槽壁成为反射面。
15、上述倒装芯片中，还设置有贴合导光凹槽的槽壁设置的反射镜，反射镜使得导光凹槽的槽壁形成反射面，具有光线反射功能。
16、可选地，反射镜为金属反射镜。
17、可选地，外延层为algainp(铝镓铟磷)系红光外延层。
18、可选地，在沿着导光凹槽的槽口到槽底的方向上，导光凹槽的横截面面积逐渐减小。
19、可选地，导光凹槽的横截面为圆形和椭圆形中的任意一种。
20、可选地，导光凹槽的反光面为弧面。
21、上述倒装芯片中，导光凹槽的反光面为弧面，弧面对光线射向外延层侧面的引导作用好，相较于平面能提升导光凹槽的光线引导效果。
22、可选地，导光凹槽在平行于多量子阱层的方向上的截面为圆形和椭圆形中的任意一种，且在沿着槽口到槽底的方向上，截面的面积逐渐减小。
23、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括：
24、驱动背板；以及
25、多颗如前述任一项的倒装芯片；倒装芯片与驱动背板电连接。
26、上述显示面板中使用的倒装芯片，在外延层的电极设置面上设置了多个导光凹槽，导光凹槽的槽壁为反光面，其能够将外延层内部射向饭反射面的光线朝着外延层的侧面反射，使得这部分光线的反射路径可以不经过多量子阱层，进而减少多量子阱层对于光线的吸收，提升倒装芯片的出光效率；同时，减少多量子阱层对光线的吸收也能减少多量子阱层的产热，避免多量子阱层的性能受到影响，有利于维护倒装芯片的内量子效率。所以，本申请提供的倒装芯片通过导光凹槽的导光作用，将射向电极设置面的光线朝着外延层侧面引导，降低光线经过多量子阱层的概率，提升了倒装芯片的出光效率，增强了显示面板的显示效果。
27、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种倒装芯片制备方法，应用于前述任一项的倒装芯片的制备，倒装芯片制备方法包括：
28、提供一外延层，外延层具有依次层叠设置的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层；
29、自第一半导体层所在的一侧起，对外延层进行刻蚀，以外露第二电极设置台面并在第一电极设置台面上形成多个导光凹槽，第一电极设置台面、第二电极设置台面分别为外延层上设置第一电极、第二电极的台面；
30、将导光凹槽的槽壁处理成反射面；
31、设置与第一半导体层电连接的第一电极以及与第二半导体层电连接的第二电极。
32、上述倒装芯片制备方法所制备的倒装芯片，在外延层的第一电极设置台面上设置了多个导光凹槽，导光凹槽的槽壁为反光面，其能够将外延层内部射向反光面的光线朝着外延层的侧面反射，使得这部分光线的反射路径可以不经过多量子阱层，进而减少多量子阱层对于光线的吸收，提升倒装芯片的出光效率；同时，减少多量子阱层对光线的吸收也能减少多量子阱层的产热，避免多量子阱层的性能受到影响，有利于维护倒装芯片的内量子效率。所以，本申请提供的倒装芯片通过导光凹槽的导光作用，将射向第一电极设置台面的光线朝着外延层侧面引导，降低光线经过多量子阱层的概率，提升了倒装芯片的出光效率，增强了倒装芯片的品质。
33、可选地，将导光凹槽的槽壁处理成反射面包括：
34、在导光凹槽的槽壁上设置金属反射镜；
35、将导光凹槽的槽壁处理成反射面之后，还包括：
36、设置包覆外延层的侧面与电极设置面的dbr(distributed bragg reflection，分布式布拉格反射镜)层。
37、上述倒装芯片制备方法中，会通过在导光凹槽的槽壁上设置金属反射镜从而使得导光凹槽的槽壁形成反光面，金属反射镜的反射能力强，有利于提升导光凹本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种倒装芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的倒装芯片，其特征在于，所述反射层还覆盖所述电极设置面，所述第一电极与所述第二电极各自的至少部分区域外露于所述反射层。
4.如权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，所述外延层为铝镓铟磷系红光外延层。
6.如权利要求1-5任一项所述的倒装芯片，其特征在于，在沿着所述导光凹槽的槽口到槽底的方向上，所述导光凹槽的横截面面积逐渐减小。
7.如权利要求6所述的倒装芯片，其特征在于，所述导光凹槽的横截面为圆形和椭圆形中的任意一种。
8.如权利要求6所述的倒装芯片，其特征在于，所述导光凹槽的所述反光面为弧面。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
10.一种倒装芯片制备方法，其特征在于，应用于如权利要求1-8任一项所述的倒装芯片的制备，所述倒装芯片制备方法包括：
11.如权利要求10所述的倒装芯片制备方法，其特征
...【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的倒装芯片，其特征在于，所述反射层还覆盖所述电极设置面，所述第一电极与所述第二电极各自的至少部分区域外露于所述反射层。
4.如权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，所述外延层为铝镓铟磷系红光外延层。
6.如权利要求1-5任一项所述的倒装芯片，其特征在于，在沿着所述导光凹槽的槽口到槽底的方向上，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：成飞，柴圆圆，郭磊，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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