【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装器件领域，具体涉及一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液及其制备方法及涂布方法。
技术介绍
1、盖带作为电子元器件表面贴装技术的重要承载体和耗用件，在半导体的储存、运输、封装生产环节是不能缺少的原材料。盖带至少具有一层具有粘结作用的功能层，通过和载带粘合实现封装。
2、然而，现阶段半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液粘结性能不佳，剥离强度不稳定。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术提出一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液及其制备方法及涂布方法，旨在解决现阶段半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液粘结性能不佳，剥离强度不稳定的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，所述半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液的制备原料包括：
3、40份~80份的丙烯酸酯接枝sebs，
4、20~40份的马来酸酐接枝的sebs，
5、5份~10份的呋喃二甲酸基聚酯，
6、5份~10份的抗静电剂，
7、1份~3份的增稠剂，
8、0.1份~0.5份的紫外吸收剂。
9、可选地，所述抗静电剂包括改性聚乙二醇，所述改性包括对聚乙二醇进行季铵盐接枝。
10、可选地，所述呋喃二甲酸基聚酯的数均相对摩尔质量为10000 g/mol~35000 g/mol。
11、可选地，所述增稠剂包括氢化c
12、可选地，所述氢化c5石油树脂和所述氢化c9石油树脂的体积比为2：（0.5~1）。
13、可选地，所述紫外吸收剂包括uv531、uv326、uv327、uv328中的至少一种。
14、可选地，所述半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液还包括0.1份-0.2份抗氧剂，所述抗氧剂包括四[(3 ,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯、β-(3 ,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸正十八碳醇酯和三[2 ,4-二叔丁基苯基]亚磷酸酯中的至少一种。
15、为了实现上述目的，本专利技术还提出一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液的制备方法，包括以下步骤：
16、按规定重量份范围将丙烯酸酯接枝sebs、马来酸酐接枝的sebs和部分的增稠剂混合，得到第一混合物；
17、按规定重量份范围将呋喃二甲酸基聚酯、抗静电剂、紫外吸收剂和剩余的增稠剂混合，得到第二混合物；
18、将所述第一混合物和所述第二混合物混合后冷却、过滤，得到半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液；
19、所述部分的增稠剂和所述剩余的增稠剂的质量比为2：（1~2）。
20、可选地，在“将所述第一混合物和所述第二混合物混合后冷却、过滤，得到半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液”的步骤中，所述混合的温度为110℃~120℃，混合的时间为5h~24h，所述过滤为过120目~150目筛网。
21、为了实现上述目的，本专利技术还提出一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液的涂布方法，包括：将胶液流延涂布至盖带膜层，设置涂布速度为100mm/s~150mm/s，涂布厚度为20nm~50nm。
22、本专利技术的有益效果：本专利技术提供的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液具有良好的附着性，由于sebs结构中无活性官能团，但聚苯乙烯α碳、氢化聚丁二烯叔碳上的氢具有较高的离去活性，选择丙烯酸酯作为改性剂，通过自由基聚合对于sebs进行化学接枝，选择利用丙烯酸酯在sebs上的苯乙烯α碳和氢化聚丁二烯叔碳处进行接枝，对sebs的极性进行调整改性，然后以丙烯酸酯接枝sebs和马来酸酐接枝的sebs为基材，用呋喃二甲酸基聚酯协同调整胶液的热塑性，配合抗静电剂、增稠剂、紫外吸收剂合理配比，实现胶液良好的附着性能，有利于涂布。
23、同时马来酸酐接枝sebs中的含苯乙烯的嵌段在此可以使聚合物在光学上和物理上与所用呋喃二甲酸基聚酯和丙烯酸酯基相容，因此呋喃二甲酸基聚酯与丙烯酸酯接枝sebs协同作用，赋予了热塑性弹性体突出的高光泽效果，同时调节了其剥离强度和稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，以重量份计，制备原料包括：
2.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述抗静电剂包括改性聚乙二醇，所述改性包括对聚乙二醇进行季铵盐接枝。
3.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述呋喃二甲酸基聚酯的数均相对摩尔质量为10000g/mol~ 35000g/mol。
4.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述增稠剂包括氢化C5石油树脂和氢化C9石油树脂。
5.如权利要求4所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述氢化C5石油树脂和所述氢化C9石油树脂的体积比为2：（0.5~1）。
6.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述紫外吸收剂包括UV531、UV326、UV327、UV328中的至少一种。
7.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述半导体芯片封装用高抗静
8.一种如权利要求1至7中任意一项所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.如权利要求8所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液的制备方法，其特征在于，在“将所述第一混合物和所述第二混合物混合后冷却、过滤，得到半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液”的步骤中，所述混合的温度为110℃~120℃，混合的时间为5h~24h，所述过滤为过120目~150目筛网。
10.一种如权利要求1至7中任意一项所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液的涂布方法，其特征在于，包括：将胶液流延涂布至盖带膜层，设置涂布速度为100mm/s~150mm/s，涂布厚度为20nm~50nm。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，以重量份计，制备原料包括：
2.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述抗静电剂包括改性聚乙二醇，所述改性包括对聚乙二醇进行季铵盐接枝。
3.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述呋喃二甲酸基聚酯的数均相对摩尔质量为10000g/mol~ 35000g/mol。
4.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述增稠剂包括氢化c5石油树脂和氢化c9石油树脂。
5.如权利要求4所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述氢化c5石油树脂和所述氢化c9石油树脂的体积比为2：（0.5~1）。
6.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性能盖带的胶液，其特征在于，所述紫外吸收剂包括uv531、uv326、uv327、uv328中的至少一种。
7.如权利要求1所述的半导体芯片封装用高抗静电性...
【专利技术属性】
技术研发人员：江宇辉，刘诚，雷美云，高永，
申请(专利权)人：深圳市中欧新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。