【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种功率半导体模块装置，具体地，涉及包括多个母线的功率半导体模块装置。
技术介绍
1、功率半导体模块装置通常包括布置在外壳中的至少一个衬底(例如，陶瓷衬底)。包括多个可控半导体元件(例如，igbt、二极管或其他半导体器件)的半导体装置布置在至少一个衬底中的每个衬底上。每个衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧上的第一金属化层以及沉积在衬底层的第二侧上的第二金属化层。可控半导体元件安装在例如第一金属化层上。第二金属化层可以可选地附接到基底板。可控半导体器件通常通过焊接或烧结技术安装到衬底。
2、电线或电连接件用于将功率半导体装置的不同半导体器件彼此连接。此外，提供了端子元件和母线或导体轨，以从外壳的外部接触半导体装置。这样的端子元件、母线或导体轨通常以第一端电耦合到第一金属化层。端子元件、母线或导体轨的第二端伸出外壳。
3、需要一种易于生产且成本效益高的并且提供高度灵活性的功率半导体模块装置。
技术实现思路
1、一种功率半导体模块装置包括：外壳；布置在外壳中或形成外壳的底部的衬底，衬底包括电介质绝缘层和附接到电介质绝缘层的第一金属化层；布置在衬底上的半导体装置；以及通过半导体装置和/或第一金属化层彼此电耦合的多个母线，多个母线中的每个母线包括第一端、与第一端相对的第二端、具有第一轮廓的第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第二表面具有第二轮廓，第二轮廓是第一轮廓的投影，其中，多个母线中的每个母线的第一端电耦合和机械耦合到衬底，并且多
2、可以参考以下附图和描述更好地理解本专利技术。图中的部件不一定是按比例的，相反地，重点放在说明本专利技术的原理上。此外，在图中，类似的附图标记在不同视图中始终指代对应的部分。
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1.一种功率半导体模块装置(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的每个母线沿其长度(l4)弯曲至少一次。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的每个母线包括至少一个水平区段(495)，以及一个或多个竖直区段(492)或者一个或多个斜向区段(494)中的至少一者。
4.根据权利要求2或3所述的功率半导体模块装置(100)，包括至少四个母线(41、42、43、44)，其中，
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述第一金属化层(111)包括至少三个单独的区段(1111、1112、1113)，并且其中，
6.根据权利要求5所述的功率半导体模块装置(100)，还包括：
7.根据权利要求4至6中的任何一项所述的功率半导体模块装置(100)，其中，
8.根据权利要求7所述的功率半导体模块装置(100)，还包括第一传感器元件(91)，所述第一传感器元件布置在所述第一母线(41)与所述
9.根据权利要求7或8所述的功率半导体模块装置(100)，还包括第二传感器元件(92)，所述第二传感器元件布置在所述第二母线(42)与所述第四母线(44)之间，并且被配置为检测由流经所述第二母线(42)的第三电流和流经所述第四母线(44)的第四电流引起的磁场的强度，其中，所检测到的所述磁场的强度指示所述第三电流与所述第四电流之和。
10.根据权利要求7或8所述的功率半导体模块装置(100)，还包括第二传感器元件(92)，其中，
11.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的母线(4)的由所述第一表面(410)的所述轮廓限定的形状是不对称的。
12.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的每个母线具有相同厚度(t4)，其中，所述厚度(t4)对应于所述第一表面(410)与所述第二表面(412)之间的距离。
13.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(100)，其中，
14.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的每个母线还包括从所述金属片延伸的支脚，其中，所述支脚布置在所述母线(4)的所述第一端(41)处或者形成所述母线(4)的所述第一端(41)，并且电连接和机械连接到所述衬底(10)。
15.根据权利要求6所述的功率半导体模块装置(100)，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块装置(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的每个母线沿其长度(l4)弯曲至少一次。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述多个母线(4)中的每个母线包括至少一个水平区段(495)，以及一个或多个竖直区段(492)或者一个或多个斜向区段(494)中的至少一者。
4.根据权利要求2或3所述的功率半导体模块装置(100)，包括至少四个母线(41、42、43、44)，其中，
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块装置(100)，其中，所述第一金属化层(111)包括至少三个单独的区段(1111、1112、1113)，并且其中，
6.根据权利要求5所述的功率半导体模块装置(100)，还包括：
7.根据权利要求4至6中的任何一项所述的功率半导体模块装置(100)，其中，
8.根据权利要求7所述的功率半导体模块装置(100)，还包括第一传感器元件(91)，所述第一传感器元件布置在所述第一母线(41)与所述第三母线(43)之间，并且被配置为检测由流经所述第一母线(41)的第一电流和流经所述第三母线(43)的第二电流引起的磁场的强度，其中，所检测到的所述磁场的强度指示所述第一电流与所述第二电流之和。
9.根据权利要求7或8所述的功率半导体模块装置(10...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·F·海盖迪什，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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