半导体封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构包括：半导体衬底、金属接垫、钝化层、聚合物层、UBM层以及背金属层。半导体衬底具有彼此相对的正面与背面。正面包括组件区与切割道区。金属接垫配置在组件区上。钝化层配置在组件区上，且延伸覆盖金属接垫的侧壁与顶面的第一部分。聚合物层配置在钝化层上且从组件区延伸至切割道区且覆盖钝化层的侧壁。聚合物层具有开口以暴露出金属接垫的顶面的第二部分。UBM层配置在开口中且延伸覆盖聚合物层的部分顶面。背金属层配置在半导体衬底的背面上，且具有大于10微米的厚度。本发明专利技术可有效防止电镀液沿着切割道空隙渗透至整个晶圆正面，进而提高工艺良率并提升晶圆质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、功率半导体组件由于其自身具有驱动电路简单、驱动功率小、高输入阻抗和开关速度、良好的热稳定性和高频特性等一系列优点获得了广泛的应用。作为功率半导体组件的一个性能指针，需要降低组件的导通电阻。为了使功率半导体组件具有较低的导通电阻，在现有技术中，通常采用的技术手段是金属化晶圆背面。具体来说，金属化晶圆背面的步骤包括：背面研磨、表面处理、清洗、背面金属化等步骤。在背面金属化步骤中，一般利用浸泡式电镀工艺，将整个晶圆浸入电镀液中对晶圆背面进行电镀，而晶圆正面则需贴附胶带作为保护以隔绝电镀液。然而，在电镀过程中，晶圆正面的胶带会不断被电镀液侵蚀，长时间电镀导致胶带外围密合处被腐蚀穿透后，电镀液将沿着切割道空隙渗透至整个晶圆正面，形成切割道污染，进而影响晶圆质量。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种半导体封装结构包括：半导体衬底、多个沟槽栅极结构、金属接垫、钝化层、聚合物层、凸块下金属层(ubm层)以及背金属层。半导体衬底具有彼此相对的第一表面与第二表面。第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层与所述钝化层为不同材质的介电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖所述密封环结构的顶面与侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层具直接接触所述金属接垫的第三部分，而所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述组件区包括第一组件区与第二组件区，所述第一组件区中的所述多个沟槽栅极结构与所述第二组件区的所述多个沟...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层与所述钝化层为不同材质的介电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖所述密封环结构的顶面与侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物层具直接接触所述金属接垫的第三部分，而所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述组件区包括第一组件区与第二组件区，所述第一组件区中的所述多个沟槽栅极结构与所述第二组件区的所述多个沟槽栅极结构彼此电性隔离；所述第一组件区中的源极掺杂区与所述第二组件区的源极掺杂区彼此电性隔离。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄泱恺，
申请(专利权)人：力智电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：