半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；位于第一电极层侧壁表面的介电层；位于衬底上的第二电极层，所述第一电极层、介电层和第二电极层沿平行于衬底表面的方向排列。所述半导体结构的性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、半导体行业正在不断减小集成电路内组件的尺寸，以缩小封装结构体积。这就使得集成电路内的各器件尺寸均需要缩小尺寸。

2、对于电容来说，在相同或更高的电容下减少占地面积是一个相当大的挑战。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，以提升电容密度。

2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；位于第一电极层侧壁表面的介电层；位于衬底上的第二电极层，所述第一电极层、介电层和第二电极层沿平行于衬底表面的方向排列。

3、可选的，所述介电层位于第一开口侧壁表面和底部表面；所述第一电极层位于介电层表面。

4、可选的，所述介电层位于第一电极层侧壁表面和衬底表面

5、可选的，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底包括：基底；位于基底上的器件层，所述器件层内具有器件结构；位于器件层上的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层位于第一开口侧壁表面和底部表面；所述第一电极层位于介电层表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层位于第一电极层侧壁表面和衬底表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底包括：基底；位于基底上的器件层，所述器件层内具有器件结构；位于器件层上的第一互连层，第一区的第一互连层内具有第一电连接结构，所述第一电连接结构与器件结构电连接；所述第一电极层和第二电极层位于第二区上。p>

5.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层位于第一开口侧壁表面和底部表面；所述第一电极层位于介电层表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层位于第一电极层侧壁表面和衬底表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底包括：基底；位于基底上的器件层，所述器件层内具有器件结构；位于器件层上的第一互连层，第一区的第一互连层内具有第一电连接结构，所述第一电连接结构与器件结构电连接；所述第一电极层和第二电极层位于第二区上。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底第一区上的第一介质层；位于第一介质层上的第二互连层，第一区的第二互连层内具有第二电连接结构，所述第二电连接结构与第一电连接结构电连接。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二区第一互连层内的第一连接层，位于第二区上第二互连层内的第二连接层，所述第一连接层与第二电极层电连接，所述第二连接层与第一电极层电连接；或者，所述第一连接层与第一电极层电连接，所述第二连接层与第二电极层电连接。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层的材料包括金属或金属氮化物；所述第二电极层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括钛、钴、铜或铝；所述金属氮化物包括氮化钛或氮化钽。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层的材料包括介电材料，所述介电材料的介电常数大于3.9，所述介电材料包括氧化铝或氧化铪。

9.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料包括介电材料，所述介电材料的介电常数小于3.9，所述介电材料包括氧化硅、氮化硅或碳氧化硅。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电层位于第一开口侧壁表面和底部表面；所述第一电极层位于介电层表面。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一电极层之后，形成所述第二电极层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极层和介电层的形成方法包括：在第一开口侧壁表面和底部表面、以及第一介质层的顶部表面形成介电材料层；在介电材料层表面形成第一电极材料层；平坦化所述第一电极材料层和介电材料层，直至暴露出第一介质层表面，在第一开口内形成介电层和位于介电层表面的第一电极层；在衬底上形成第二开口；在第二开口内和第一电极层上形成第二电极材料层；平坦化所述第二电极材料层，直至暴露出第一电极层表面，形成所述第二电极层。

14.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二电极层之后，形成所述第一电极层。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极层、介电层和第二电极层的形成方法包括：在第一开口侧壁表面和底部表面、以及第一介质层的顶部表面形成介电材料层；在介电材料层表面形成牺牲材料层；平坦化所述牺牲材料层和介电材料层，直至暴露出第一介质层表面，在第一开口内形成介电层和位于介电层表面的牺牲层；形成牺牲层之后，去除所述第一介质层，在衬底上形成第二开口，所述第二开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：神兆旭，李阳，郭俊伟，尹悦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：