掩膜层结构及其形成方法及半导体结构的形成方法技术

一种掩膜层结构及其形成方法和半导体结构的形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成器件层；在器件层表面形成初始掩膜层；对初始掩膜层进行改性处理，在器件层上形成掩膜层以及掩膜层表面的改性层，改性层的密度大于掩膜层的密度；对改性层和掩膜层进行图形化处理；在图形化处理后，以掩膜层以及掩膜层表面的改性层为掩膜，刻蚀器件层，直至暴露出衬底的部分表面，形成通孔。改性层的密度大于掩膜层的密度，相同体积内的改性层材料增多，在刻蚀器件层的过程中改性层的刻蚀率减小，改性层在刻蚀过程中横向与纵向的损耗减小，刻蚀得到的通孔的关键尺寸不会由于掩膜的损耗而增大，提升了刻蚀精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种掩膜层结构及其形成方法及半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着三维与非型闪存(3d nand)的发展，三维闪存中立体结构引入，三维闪存中立体结构的刻蚀深宽比进一步增大，对刻蚀技术提出了更高的要求。碳硬掩膜的密度与碳硬掩膜的刻蚀选择比具有正相关性。要实现更高深宽比的刻蚀需求，需要更高选择比的碳硬掩膜作为碳硬掩膜层，换言之，需要有更高薄膜密度的碳硬掩膜。

2、然而，目前的碳硬掩膜还需要进一步的改进。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种掩膜层结构及其形成方法及半导体结构的形成方法，以提升碳硬掩膜层的薄膜密度，改善刻蚀得到开口的形貌。

2、为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成器件层；在所述器件层表面形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行改性处理，在所述器件层上形成掩膜层以及掩膜层表面的改性层，所述改性层的密度大于所述掩膜层的密度；对所述改性层和所述掩膜层进行图形化处理；在图形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述改性处理的工艺包括：离子注入工艺；所述离子注入工艺的参数包括：所述离子注入的源气体包括含碳气体，所述离子注入的能量范围为：1KeV～100KeV，所述离子注入的深度范围为：所述含碳气体包括二氧化碳。

3.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层的材料包括含氢的无定型碳；所述含氢的无定型碳中，氢的原子百分比浓度范围为10％～15％。

4.如权利要求3所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层形成工艺包括：化学气相沉积工艺；所...

【技术特征摘要】

1.一种掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述改性处理的工艺包括：离子注入工艺；所述离子注入工艺的参数包括：所述离子注入的源气体包括含碳气体，所述离子注入的能量范围为：1kev～100kev，所述离子注入的深度范围为：所述含碳气体包括二氧化碳。

3.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层的材料包括含氢的无定型碳；所述含氢的无定型碳中，氢的原子百分比浓度范围为10％～15％。

4.如权利要求3所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层形成工艺包括：化学气相沉积工艺；所述化学气相沉积工艺的工艺参数包括：反应气体包括碳氢化合物，气体流量范围为：1000sccm/s～2000sccm/s，反应温度大于500摄氏度；所述碳氢化合物包括乙炔和丙烯。

5.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述改性层的密度大于所述掩膜层的密度的百分比范围为：10％～20％；所述改性层的厚度范围为：所述掩膜层的厚度范围为：所述改性层材料中氢的原子百分比浓度范围为：2％～7％。

6.一种掩膜层的结构，其特征在于，包括：

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件层包括：若干层第一介质层和第二介质层的堆叠；所述器件层的厚度范围包括：2μm～10μm；所述第一介质层的层数范围包括：30层～200层；所述第二介质层的层数范围包括：30层～200层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在刻蚀所述器件层之后，在所述通孔内形成沟道；在形成所述沟道之后，去除所述第一介质层，在相邻第二介质层之间形成栅极层；在形成栅极层之后，去除所述第二介质层，对相邻所述栅极层暴露出的沟道进行源漏掺杂；在进行源漏掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永玉，高大为，汪翼鹏，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：