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掩膜层结构及其形成方法及半导体结构的形成方法技术
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文档序号:41186250
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一种掩膜层结构及其形成方法和半导体结构的形成方法,其中半导体结构的形成方法包括:提供衬底;在衬底表面形成器件层;在器件层表面形成初始掩膜层;对初始掩膜层进行改性处理,在器件层上形成掩膜层以及掩膜层表面的改性层,改性层的密度大于掩膜层的密度;...
该专利属于浙江创芯集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江创芯集成电路有限公司授权不得商用。
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