【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新型荧光材料开发，尤其涉及一种强黄光dy3+：nagdgeo4荧光粉及其制备方法与应用。
技术介绍
1、稀土(re)元素掺杂的荧光粉可用于发光二极管(led)器件中，因其低功耗、优良的热稳定性、长寿命、高效率等特点，越来越受到人们的关注。黄光荧光粉由于其亮度高、安全性好，被广泛应用于白光照明和眼科治疗。一般涂有黄色荧光粉的uv led芯片都能发出黄色的光。稀土镝离子(dy3+)由于其在576nm黄光区4f9/2→6h13/2的典型能级跃迁性质，一些掺杂dy3+离子的荧光粉在紫外芯片激发下能发出黄色光。此外，该dy3+离子在蓝光区还表现出另一种典型的4f9/2→6h15/2的辐射跃迁，这有利于通过混合适当的黄光直接发射白光。目前，广泛使用的是黄色yag材料，存在易相变和色温高的问题。因此，新型led黄色荧光粉的研究已成为当前市场的迫切需求。
技术实现思路
1、为克服现有技术的缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种强黄光dy3+：nagdgeo4(即dy:nggo)荧光粉及其制备方法与应用。
2、本专利技术是这样实现的，一种dy3+：nagdgeo4荧光粉的制备方法，该方法包括以下步骤：
3、(1)将na2co3、gd2o3、geo2和dy2o3混合研磨充分，将研磨粉在1100±2℃下烧结5～6小时；
4、(2)将烧结物研磨成粉，得到dy3+：nagdgeo4荧光粉。
5、优选地，所述dy3+：nagdgeo4荧光粉中dy
6、优选地，所述dy3+：nagdgeo4荧光粉中dy3+的掺杂量为2at.％。
7、优选地，在步骤(1)中，所述na2co3、gd2o3、geo2和dy2o3的纯度均为99.99％以上。
8、本专利技术进一步公开了上述方法制备得到的dy3+：nagdgeo4荧光粉。
9、本专利技术进一步公开了上述dy3+：nagdgeo4荧光粉在黄光led中的应用。
10、本专利技术克服现有技术的不足，提供一种强黄光dy3+：nagdgeo4(即dy:nggo)荧光粉及其制备方法与应用。nggo基质由于其具有橄榄石结构可以降低其声子能量发射。研究表明，na+和gd3+离子在nggo的结构中表现出八面体位置的长程有序分布。当dy3+离子取代gd3+离子作为主要位于非中心对称中心的发光位置时，dy3+离子的典型跃迁4f9/2→6h13/2占主导地位，荧光体发出强烈的黄色光，而白光可以通过混合一定比例的蓝光和黄光来实现。在本专利技术中，通过dy3+掺杂的nggo荧光粉以达到黄色荧光粉材料。
11、相比于现有技术的缺点和不足，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术采用高温固相法合成得到dy3+：nagdgeo4荧光粉，在不同温度下，该荧光粉均具有较稳定的物相结构和发光性能，可应用于黄光led等产品中。
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1.一种强黄光Dy3+：NaGdGeO4荧光粉的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Dy3+：NaGdGeO4荧光粉中Dy3+的掺杂量为0.5at.％～5at.％。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Dy3+：NaGdGeO4荧光粉中Dy3+的掺杂量为2at.％。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述Na2CO3、Gd2O3、GeO2和Dy2O3的纯度均为99.99％以上。
5.权利要求1～4所述方法制备得到的Dy3+：NaGdGeO4荧光粉。
6.权利要求5所述的Dy3+：NaGdGeO4荧光粉在黄光LED中的应用。
【技术特征摘要】
1.一种强黄光dy3+：nagdgeo4荧光粉的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述dy3+：nagdgeo4荧光粉中dy3+的掺杂量为0.5at.％～5at.％。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述dy3+：nagdgeo4荧光粉中dy3+的掺杂量...
【专利技术属性】
技术研发人员：王希虎，王旭洋，胡金玉，李俊，柴晓娜，
申请(专利权)人：阜阳师范大学，
类型：发明
国别省市：
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