【技术实现步骤摘要】
本技术涉及芯片封装，具体涉及一种用于gan基hemt封装的石墨烯异质结基片。
技术介绍
1、氮化镓(gan)基高电子迁移率晶体管(hemt)在功率和射频器件方面显示出日益广泛的应用前景。随着技术的不断进步，器件的集成度越来越高，功率密度越来越高，随之而来的是不断增多的热量问题。过高的热量，轻则降低器件的稳定性，重则带来严重的安全隐患。对gan基高功率器件的热量管理已成为制约其发展的重要问题之一，因此对器件的封装和散热提出越来越高的要求。为了提高gan基hemt器件的散热能力，科研工作者提出了各种封装方法，比如采用高热导率钝化层材料(cn116153996a)，采用芯片倒装结构(cn108376705a)等。在各类封装技术中，直接覆铜基板(dbc)因为具有较高热导率(ain陶瓷基板：200w/(m·k))，获得了较多的关注，比如可见基于dbc的双面散热封装结构(cn116387251a)。相比于aln陶瓷，石墨烯拥有更高的热导率(＞2000w/(m·k))，在散热方面已获得广泛的应用。因此，本领域技术人员提供了一种用于gan基hemt封装的石墨烯异质结基片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种用于gan基hemt封装的石墨烯异质结基片，所述基片自下而上包括铜基底，制备于铜基底上的绝缘层，形成于绝缘层上的具有可压缩、可回弹特性的石墨烯层，以及设置在石墨烯层上的热沉。
2、优选地：所述铜基底为完整铜箔或经过刻蚀加工的带有特定图
3、优选地：所述绝缘层材料为六方氮化硼、金刚石、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、二氧化铪中的一种或其复合结构。
4、优选地：所述绝缘层厚度为10-100nm。
5、优选地：所述石墨烯层由多层石墨烯、氧化石墨烯及其还原产物中的一种或其复合结构组成。
6、优选地：所述石墨烯层的层间距为0.3nm-100μm，总厚度为0.1-2mm。
7、优选地：所述热沉为石墨、铜、钨铜、碳化硅陶瓷、氮化铝陶瓷中的一种。
8、本技术的技术效果和优点：
9、本技术所提供的石墨烯异质结基片，可以作为传统dbc基片的一种替代品，用于gan基hemt等高功率芯片封装；
10、石墨烯具有比aln等陶瓷更高的热传导率，可以提供更有效的散热效果，此外，石墨烯层具有可调控的层间间隙，由此可获得一定范围内的可压缩性和可回弹性，可有效缓解、释放加工过程产生的应力以及使用过程中产生的热应力，有效保护器件结构，延长使用寿命，基片结合的热沉，则可以进一步的提高散热效果。
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1.一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述基片自下而上包括铜基底(1)，制备于铜基底(1)上的绝缘层(2)，形成于绝缘层(2)上的具有可压缩、可回弹特性的石墨烯层(3)，以及设置在石墨烯层(3)上的热沉(4)。
2.根据权利要求1所述的一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述铜基底(1)为完整铜箔或经过刻蚀加工的带有图案化结构的铜箔。
3.根据权利要求1所述的一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述绝缘层(2)材料为六方氮化硼、金刚石、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、二氧化铪中的一种。
4.根据权利要求3所述的一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述绝缘层(2)厚度为10-100nm。
5.根据权利要求1所述的一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述石墨烯层(3)由多层石墨烯、氧化石墨烯及其还原产物中的一种组成。
6.根据权利要求5所述的一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述
7.根据权利要求1所述的一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述热沉(4)为石墨、铜、钨铜、碳化硅陶瓷、氮化铝陶瓷中的一种。
...【技术特征摘要】
1.一种用于gan基hemt封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述基片自下而上包括铜基底(1)，制备于铜基底(1)上的绝缘层(2)，形成于绝缘层(2)上的具有可压缩、可回弹特性的石墨烯层(3)，以及设置在石墨烯层(3)上的热沉(4)。
2.根据权利要求1所述的一种用于gan基hemt封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述铜基底(1)为完整铜箔或经过刻蚀加工的带有图案化结构的铜箔。
3.根据权利要求1所述的一种用于gan基hemt封装的石墨烯异质结基片，其特征在于，所述绝缘层(2)材料为六方氮化硼、金刚石、氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅、二氧化铪中的一种。
4.根据权利...
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