一种高集成度的阻抗测量系统及其设计方法技术方案

本申请公开了一种高集成度的阻抗测量系统及其设计方法，系统包括阻抗测量输入接口、自动切换控制单元、阻抗测量通道和阻抗测量输出接口，阻抗测量输入接口的输出端与自动切换控制单元的输入端连接，自动切换控制单元的输出端与阻抗测量通道的输入端连接，阻抗测量通道的输出端与阻抗测量输出接口的输入端连接。方法包括结合阻抗采样电路和所述信号调理电路，构成若干个阻抗测量通道；将若干个阻抗测量通道进行集成处理，并将自动控制单元与所述阻抗测量通道进行电性连接，构建阻抗测量系统。本申请实施例能够实现高集成度、小尺寸和低功耗的阻抗测量系统。本申请可以广泛应用于阻抗分析测量技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及阻抗分析测量，尤其涉及一种高集成度的阻抗测量系统及其设计方法。

技术介绍

1、阻抗分析系统被广泛应用于电子工程、医疗诊断和环境检测等领域，用于测量电路中的电阻、电容和电感等参数。但是现有的阻抗分析系统存在一些问题，首先，现有的阻抗分析系统通常由多个独立的仪器和设备组成，包括阻抗测量仪、信号发生器和示波器等，这些设备需要独立连接和操作，使系统的集成度低。此外，这些设备通常较大且耗电量较高，不便携且限制了系统在复杂环境中的应用，其次，现有的阻抗分析系统在多个阻抗测量通道和相关信号处理电路方面的设计存在限制。传统系统往往需要使用多个独立的芯片和电路来实现多通道测量和信号处理，导致系统的尺寸增大，能耗升高，以及复杂的设计和布局问题。此外，信号切换和处理的手动操作也增加了用户的负担和使用不便。

2、综上，相关技术中存在的技术问题有待得到改善。

技术实现思路

1、本申请实施例的主要目的在于提出一种高集成度的阻抗测量系统及其设计方法，能够实现高集成度、小尺寸和低功耗的阻抗测量系统。

2、为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高集成度的阻抗测量系统，其特征在于，所述系统包括阻抗测量输入接口、自动切换控制单元、阻抗测量通道和阻抗测量输出接口，所述阻抗测量输入接口的输出端与所述自动切换控制单元的输入端连接，所述自动切换控制单元的输出端与所述阻抗测量通道的输入端连接，所述阻抗测量通道的输出端与所述阻抗测量输出接口的输入端连接，其中：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自动切换控制单元包括控制开关与自动切换逻辑分析单元，所述控制开关与所述自动切换逻辑分析单元电性连接，其中：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻抗测量通道包括阻抗采样电路和信号调理电路，所述阻抗采...

【技术特征摘要】

1.一种高集成度的阻抗测量系统，其特征在于，所述系统包括阻抗测量输入接口、自动切换控制单元、阻抗测量通道和阻抗测量输出接口，所述阻抗测量输入接口的输出端与所述自动切换控制单元的输入端连接，所述自动切换控制单元的输出端与所述阻抗测量通道的输入端连接，所述阻抗测量通道的输出端与所述阻抗测量输出接口的输入端连接，其中：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自动切换控制单元包括控制开关与自动切换逻辑分析单元，所述控制开关与所述自动切换逻辑分析单元电性连接，其中：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻抗测量通道包括阻抗采样电路和信号调理电路，所述阻抗采样电路和所述信号调理电路电性连接，其中：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻抗采样电路包括电压分支电路与电流分支电路，所述电压分支电路包括电压源模块和电压测量电路，所述电流分支电路包括电流源模块和电流测量电路，所述电压源模块的输出端和所述电压测量电路的输入端连接，所述电流源模块的输出端和所述电流测量电路的输入端连接，其中：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电压分支电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第一电阻和第二电阻，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的源极和所述第三晶体管的源极连接并接地，所述第一晶体管的漏极、所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的源极、所述第六晶体管的源极和所述第七晶体管的源极连接，所述第四晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极连接，所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极连接，所述第四晶体管的漏极、所述第十四晶体管的漏极和所述第十二晶体管的源极连接，所述第五晶体管的漏极、所述第十一晶体管的漏极、所述第十六晶体管的栅极和所述第十七晶体管的栅极连接，所述第六晶体管的漏极、所述第十晶体管的漏极、所述第十四晶体管的栅极和所述第十五晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的漏极、所述第十三晶体管的源极和所述第十七晶体管的漏极连接，所述第十晶体管的栅极和所述第十一晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的源极与所述第十五晶体管的漏极连接，所述第十一晶体管的源极与所述第十六晶体管的漏极连接，所述第十四晶体管的源极、所述第十五晶体管的源极、所述第十六晶体管的源极、所述第十七晶体管的源极和所述第二电阻的第二端连接并接地，所述第二晶体管的漏极与所述第八晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与所述第九晶体管的源极连接，所述第八晶体管的漏极、所述第十二晶体管的漏极、所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端连接，所述第九晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端和所述第十三晶体管的漏极连接，所述第十二晶体管的栅极与所述第十三晶体管的栅极连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈焕君，牟炳叡，王自鑫，何国勤，黄俊生，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：