【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种离子注入机台保养时机的预测方法及预测系统。
技术介绍
1、在半导体制造领域，离子注入工艺在半导体器件的生产过程中起到重要作用。离子注入工艺通过离子注入机台实现。
2、为确保离子注入工艺的稳定性以减少缺陷，需对离子注入机台进行日常保养。
3、目前，通常在离子注入机台工作预定时间(例如500小时)后，即对离子注入机台停机进行保养。但部分离子注入机台在准备保养时的状态比较正常，使得离子注入机台的保养周期显得较短，较为影响产线生产；而另一方面，又有部分离子注入机台还未工作到预设时间即出现异常状态(或突然宕机)，导致无法继续生产，不仅影响生产排产，还严重影响良率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种离子注入机台保养时机的预测方法及预测系统，以准确且高效地确定离子注入机台的保养时机。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的离子注入机台保养时机的预测方法，包括：
3、提供离子注入机台的历史过程数据及对应的历史保养数据，所述历史保养数据包括所述离子注入机台的离子源相关的保养周期；
4、根据所述历史过程数据中与对应的保养周期的相关性，筛选出若干相关过程参数，利用若干所述相关过程参数及所述历史保养数据建立保养周期使用率模块；
5、获取离子注入机台的所述相关过程参数的当前数据，并将所述当前数据输入所述保养周期使用率模块，以获得所述离子注入机台的保养周期使用率，用于判定当前是否需要保养。
6、可选的，筛选出所述相关过程参数的步骤包括：
7、获取保养周期内各个过程参数的时间序列数据及所述保养周期内各采样点距其保养终点时间差的时间序列；
8、对所述历史过程数据中各过程参数的时间序列数据和对应保养周期内采样点距其保养终点时间差的时间序列进行相关性计算，并筛选出其中相关系数的绝对值大于或等于预设值的过程参数作为所述相关过程参数。
9、可选的，所述相关性计算为皮尔森相关性计算，所述预设值为0.6～0.8。
10、可选的，利用若干所述相关过程参数及所述历史保养数据采用多元线性拟合建立保养周期使用率模块，所述保养周期使用率模块包括拟合常数及与所述相关过程参数对应的拟合系数。
11、可选的，调整所述拟合常数及所述拟合系数，以使所述保养周期使用率为100％时作为其保养时机。
12、可选的，还利用所述相关过程参数的当前数据的所述保养周期使用率模块建立若干预警机制，在所述保养周期使用率模块的数值小于100％且达到所述预设机制的预设条件时，发出对应的预警信息。
13、可选的，所述离子注入机台包括离子源及分析磁场单元，所述离子源包括灯丝及围绕所述灯丝的阴极结构，所述分析磁场单元包括与所述离子源相对的萃取电极及设于所述萃取电极后的分析磁场，与所述离子源相关的保养包括对所述离子源及所述分析磁场单元的保养，所述历史保养数据中的保养周期来自预设工作时间或所述离子注入机台出现异常。
14、可选的，若干所述相关过程参数包括所述灯丝的电性相关过程参数、所述阴极结构的电性相关过程参数、所述分析磁场的筛选相关过程参数、所述萃取电极的位置相关过程参数、所述离子源出射束流相对所述萃取电极偏离的电性相关过程参数。
15、可选的，所述灯丝的电性相关过程参数包括灯丝电流，所述阴极结构的电性相关过程参数包括阴极电流和阴极电压，所述萃取电极的位置相关过程参数包括所述萃取电极相对所述离子源的间隙及倾斜角度；所述分析磁场的筛选相关过程参数包括离子穿过的平均质量，所述离子源出射束流相对所述萃取电极偏离的电性相关过程参数包括所述束流在所述萃取电极之外形成的电流。
16、基于本专利技术的另一方面，还提供一种离子注入机台保养时机的预测系统，包括：
17、保养周期使用率模块，从离子注入机台的历史过程数据中筛选与对应的保养周期的相关性大于预设值的若干相关过程参数，并利用若干所述相关过程参数及所述历史保养数据建立所述保养周期使用率模块；
18、当前数据获取模块，用于获取所述离子注入机台中所述相关过程参数的当前数据；
19、保养时机判断模块，用于将所述相关过程参数的当前数据输入所述保养周期使用率模块获得所述离子注入机台的保养周期使用率用于判定当前是否需要保养。
20、综上所述，本专利技术在获得离子注入机台的历史过程数据及对应的历史保养数据后，根据历史过程数据中与对应的保养周期的相关性，筛选出若干相关过程参数，再结合历史保养数据建立保养周期使用率模块，并获取离子注入机台的相关过程参数的当前数据，将其输入保养周期使用率模块，以获得离子注入机台的保养周期使用率用于判定当前是否需要保养。对比于相关技术中采用预定时间作为离子注入机台的保养周期，本专利技术通过根据离子注入机台的历史数据所得到的保养周期使用率模块及其相关过程参数的当前数据，基于离子注入机台的自身特性及实际工况所体现的参数数据，从而快速且准确地获得离子注入机台与保养时机相关的实际工况，进而可以高效且准确地判断离子注入机台是否需要保养。
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1.一种离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，筛选出所述相关过程参数的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，所述相关性计算为皮尔森相关性计算，所述预设值为0.6～0.8。
4.根据权利要求1所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，利用若干所述相关过程参数及所述历史保养数据采用多元线性拟合建立保养周期使用率模块，所述保养周期使用率模块包括拟合常数及与所述相关过程参数对应的拟合系数。
5.根据权利要求4所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，调整所述拟合常数及所述拟合系数，以使所述保养周期使用率为100％时作为其保养时机。
6.根据权利要求5所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，还利用所述相关过程参数的当前数据的所述保养周期使用率模块建立若干预警机制，在所述保养周期使用率模块的数值小于100％且达到所述预设机制的预设条件时，发出对应的预警信息。
7.根据权利要
8.根据权利要求7所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，若干所述相关过程参数包括所述灯丝的电性相关过程参数、所述阴极结构的电性相关过程参数、所述分析磁场的筛选相关过程参数、所述萃取电极的位置相关过程参数、所述离子源出射束流相对所述萃取电极偏离的电性相关过程参数。
9.根据权利要求8所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，所述灯丝的电性相关过程参数包括灯丝电流，所述阴极结构的电性相关过程参数包括阴极电流和阴极电压，所述萃取电极的位置相关过程参数包括所述萃取电极相对所述离子源的间隙及倾斜角度；所述分析磁场的筛选相关过程参数包括离子穿过的平均质量，所述离子源出射束流相对所述萃取电极偏离的电性相关过程参数包括所述束流在所述萃取电极之外形成的电流。
10.一种离子注入机台保养时机的预测系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，筛选出所述相关过程参数的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，所述相关性计算为皮尔森相关性计算，所述预设值为0.6～0.8。
4.根据权利要求1所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，利用若干所述相关过程参数及所述历史保养数据采用多元线性拟合建立保养周期使用率模块，所述保养周期使用率模块包括拟合常数及与所述相关过程参数对应的拟合系数。
5.根据权利要求4所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，调整所述拟合常数及所述拟合系数，以使所述保养周期使用率为100％时作为其保养时机。
6.根据权利要求5所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，还利用所述相关过程参数的当前数据的所述保养周期使用率模块建立若干预警机制，在所述保养周期使用率模块的数值小于100％且达到所述预设机制的预设条件时，发出对应的预警信息。
7.根据权利要求1所述的离子注入机台保养时机的预测方法，其特征在于，所述离子注...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞宏庄，国子明，姜波，周丽杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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