【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体制造领域所涉及的半导体器件典型地包括器件表面设置的若干金属线，这些金属线可以被介质材料的绝缘层(也称层间介质层，层间介质层简称为ild)彼此隔开。
2、然而，随着半导体器件尺寸的不断缩小，器件性能越来越受到层间介质电容的限制。例如，层间介质致使相邻金属线之前存在寄生电容，从而导致电阻-电容延迟(rc延迟)，进而影响到器件的速度。
3、因此，如何减少相邻金属线之间的rc延迟，是当前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的不足之处，提供一种半导体结构及其制备方法。
2、一方面，本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：
3、提供衬底；
4、于所述衬底上形成多个水平间隔排布的导电层及第一层间介质层；所述第一层间介质层覆盖所述导电层，且填满相邻所述导电层之间的间隙；
5、于所述第一层间介质层内形成凹槽；所述凹槽位于相邻所
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽下部区域包括所述凹槽底部，或者包括所述凹槽底部及所述凹槽侧壁下部；
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述第一层间介质层的厚度；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始凹槽的侧壁以及底部进行等离子体处理，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成多个水平间隔排布的导电层及第一层间介质层之前
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽下部区域包括所述凹槽底部，或者包括所述凹槽底部及所述凹槽侧壁下部；
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述第一层间介质层的厚度；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始凹槽的侧壁以及底部进行等离子体处理，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成多个水平间隔排布的导电层及第一层间介质层之前还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的上表面形成覆盖介质层，包括：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成多个水平间隔排布的导电层及第一层间介质层之前，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成多个水平间隔排布的导电层及第一层间介质层之前，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成多个水平间隔排布的导电层之后，形成所述第一层间介质层之前，还包括：
10.根据权利要求8或9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐中迪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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